晶闸管及其整流电路补充内容.ppt

一、晶闸管的基本结构T1晶闸管导通后，去掉EG，依靠正反馈，仍可维持导通状态。晶闸管导通的条件晶闸管关断的条件正向特性

IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，正向阻断状态。

正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。
随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
晶闸管本身的压降很小，在1V左右。晶闸管的伏安特性
五.动特性1)开通过程
延迟时间td(0.5-1.5s)
上升时间tr(0.5-3s)
开通时间tgt以上两者之和，tgt=td+tr六、主要参数额定正向平均电流
环境温度为40C及标准散热条件下，晶闸管处于全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。UF:通态平均电压（管压降）
在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时，
晶闸管阳、阴极间的电压平均值。
一般为1V左右。动态参数
除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：
断态电压临界上升率du/dt
——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。
——电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。
通态电流临界上升率di/dt
——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。
——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。
七、晶闸管型号及其含义部分晶闸管的型号与参数单结晶体管（双基极二极管）(a)单结晶体管外形工作原理单结晶体管的特点单结晶体管的型号