阶跃恢复法测量少数载流子寿命.ppt
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1.1.LT-100C高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准(MF28-0707,MF1535-0707)及国家标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法,适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,由于对样块体形无严格要求,因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。目前我国测量硅单晶少子寿命的常用方法为高频光电导衰退法(hfPCD)及微波反射光电导衰退法(μPCD),两种方法均无
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