光注入非平衡载流子.ppt
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半导体物理(SemiconductorPhysics)第五章非平衡载流子5.1非平衡载流子的注入二、非平衡状态:三、非平衡载流子的产生(光照下非平衡载流子的注入)三、非平衡载流子的产生(光照下非平衡载流子的注入)四、光注入非平衡载流子对电导率的影响四、光注入非平衡载流子对电导率的影响5.2非平衡载流子的复合、寿命5.2非平衡载流子的复合、寿命结论:浓度稳定的非平衡载流子的建立与消失都有一个过程,这个过程称为光电导的弛豫过程。产生过程即是从热平衡态到加以恒定光照后新动态平衡的建立过程;消失过程即是从光照下的
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半导体的热平衡状态:半导体不受除温度以外的外界条件作用的状态,载流子浓度是一定的,n0·p0=Nc·Nve(-Eg/k0T)=ni2(5-1)平衡载流子:处于热平衡状态下的载流子。平衡载流子浓度:处于热平衡状态下的载流子浓度。非平衡状态:半导体受到外界条件作用,处于偏离热平衡的状态。非平衡载流子:半导体处于非平衡状态时比平衡状态多出来的这部分载流子。非平衡载流子浓度:比平衡状态多出来的载流子的浓度.非平衡自由电子:Δn非平衡自由空穴:Δp非平衡多数载流子:与半导体多数载流子类型相同的非平衡载流子。n型:非
光激发非平衡载流子的瞬态输运及强THz辐射研究.docx
光激发非平衡载流子的瞬态输运及强THz辐射研究光激发非平衡载流子的瞬态输运及强THz辐射研究摘要:随着科技的进步和社会的发展,快速、高效、可靠的信息传输变得越来越重要。纳米电子学和光电子学等领域中,强THz辐射的研究备受关注。本论文旨在研究光激发非平衡载流子的瞬态输运和强THz辐射,探讨其在信息传输中的应用前景和潜力。本论文首先介绍了光激发非平衡载流子的基本原理及其在器件中的应用,然后总结了瞬态输运和强THz辐射的研究进展,包括理论模型和实验技术。最后,讨论了光激发非平衡载流子的瞬态输运和强THz辐射在信
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