转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114488687A(43)申请公布日2022.05.13(21)申请号202011256540.8(22)申请日2020.11.11(71)申请人光群雷射科技股份有限公司地址中国台湾(72)发明人林刘恭(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240专利代理师李佳佳(51)Int.Cl.G03F7/00(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图9页(54)发明名称转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法(57)摘要本发明公开一种转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法，所述转印滚轮制造方法包括：于金属滚筒的外表面涂布一光阻层；通过曝光步骤和显影步骤使得光阻层形成多个遮蔽图形；通过非等向蚀刻手段蚀刻金属滚筒的外表面和多个遮蔽图形，而使得金属滚筒的外表面形成多个压印微结构，且部分移除多个遮蔽图形的顶端部分；及移除光阻层的多个遮蔽图形，而使得金属滚筒构成一转印滚轮。CN114488687ACN114488687A权利要求书1/2页1.一种转印滚轮制造方法，其特征在于，所述转印滚轮制造方法包括：一前置步骤：提供一金属滚筒，所述金属滚筒具有一圆柱状的外表面；一涂布步骤：于所述金属滚筒的所述外表面涂布围绕360度的一光阻层；一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层形成多个曝光区域和多个未曝光区域；一图案化步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光区域的材料，使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个镂空部分，以及对应多个所述未曝光区域的多个遮蔽图形；其中，任一个所述遮蔽图形远离所述金属滚筒的所述外表面的一端定义为顶端部分；一蚀刻步骤：通过非等向蚀刻手段并以多个所述遮蔽图形为屏蔽对所述金属滚筒的所述外表面和所述光阻层蚀刻，而使得所述金属滚筒的所述外表面形成多个压印微结构，且使得所述光阻层的多个所述遮蔽图形的所述顶端部分被部分地移除；其中，任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度小于任一个所述遮蔽图形的高度；以及一光阻移除步骤：将所述金属滚筒的所述外表面上残留的所述光阻层移除，而使得所述金属滚筒形成一转印滚轮。2.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，所述金属滚筒的蚀刻深度大于任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度。3.如权利要求2所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，所述金属滚筒的所述蚀刻深度为任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度的2倍以上；任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度介于任一个所述遮蔽图形的所述高度的1/3至3/4之间。4.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述曝光步骤中，所述光阻层的任一个所述曝光区域的曝光深度等于所述光阻层的厚度；所述图案化步骤中，使用对应于所述光阻层的显影液溶解所述光阻层的多个所述曝光区域的材料，而形成多个所述镂空部分。5.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，在所述曝光步骤中，任一个所述曝光区域的曝光深度小于所述光阻层的厚度；在所述图案化步骤中，进一步限定一显影子步骤和一光阻蚀刻子步骤；其中在所述显影子步骤中，使用对应于所述光阻层的显影液溶解所述光阻层的多个所述曝光区域的材料，而使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个凹陷部分和对应多个所述未曝光区域的多个凸出部分；其中，在所述光阻蚀刻子步骤中，通过非等向蚀刻手段蚀刻所述光阻层，所述光阻层被蚀刻的深度大于任一个所述凹陷部分的厚度且小于任一个所述凸出部分的厚度，而使得多个所述凹陷部分被完全移除而形成多个所述镂空部分，且多个所述凸出部分的所述光阻层未被完全移除，从而形成多个所述遮蔽图形。6.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，任一个所述压印微结构的深度介于0.2微米至0.6微米之间，任一个所述压印微结构的宽度介于0.3微米至0.8微米之间；相邻的任两个所述压印微结构的间距介于0.6微米至1.6微米之间。7.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述蚀刻步骤采用高密度电浆源并以反应式离子蚀刻手段进行。8.一种转印膜片制造方法，其特征在于，所述转印膜片制造方法包括：一压印滚轮制造步骤，所述压印滚轮制造步骤包括：2CN114488687A权利要求书2/2页一前置步骤：提供一金属滚筒，所述金属滚筒具有一圆柱状的外表面；一涂布步骤：于所述金属滚筒的所述外表面涂布围绕360度的一光阻层；一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层形成多个曝光区域和多个未曝光区域；一图案化步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光区域的材料，使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个镂空部分，以及对应多个所述未曝光区域的多个遮蔽图形；其中，将任一个所述遮蔽图形远离所述金属滚筒的所述外表面的一端定义为顶端部分；一蚀刻步骤