减小氮化镓衬底翘曲的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115020214A(43)申请公布日2022.09.06(21)申请号202210654163.6H01L21/02(2006.01)(22)申请日2022.06.10(71)申请人镓特半导体科技（上海）有限公司地址200135上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室(72)发明人罗晓菊王颖慧特洛伊·乔纳森·贝克(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师史治法(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)H01L21/306(2006.01)H01L29/20(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称减小氮化镓衬底翘曲的方法(57)摘要本申请提供一种减小氮化镓衬底翘曲的方法，包括：提供氮化镓衬底；使用第一研磨轮对氮化镓衬底的镓面进行第一次镓面研磨；使用第二研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行第一次氮面研磨，第二研磨轮中磨料的最大粒径小于第一研磨轮中磨料的最小粒径；使用第三研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行第二次氮面研磨，第三研磨轮中磨料的最大粒径小于第二研磨轮中磨料的最小粒径；使用第四研磨轮对氮化镓衬底的镓面进行第二次镓面研磨，第四研磨轮中磨料的最大粒径小于第三研磨轮中磨料的最小粒径；对上一步骤所得的氮化镓衬底进行化学机械抛光。上述减小氮化镓衬底翘曲的方法，可以减轻氮化镓衬底的翘曲，提高研磨抛光的良率。CN115020214ACN115020214A权利要求书1/2页1.一种减小氮化镓衬底翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供氮化镓衬底，所述氮化镓衬底包括相对的镓面及氮面；使用第一研磨轮对所述氮化镓衬底的镓面进行第一次镓面研磨；使用第二研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行第一次氮面研磨，所述第二研磨轮中磨料的最大粒径小于所述第一研磨轮中磨料的最小粒径；使用第三研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行第二次氮面研磨，所述第三研磨轮中磨料的最大粒径小于所述第二研磨轮中磨料的最小粒径；使用第四研磨轮对氮化镓衬底的镓面进行第二次镓面研磨，所述第四研磨轮中磨料的最大粒径小于所述第三研磨轮中磨料的最小粒径；对上一步骤所得的氮化镓衬底进行化学机械抛光，以得到预设厚度的氮化镓衬底。2.根据权利要求1所述的减小氮化镓衬底翘曲的方法，其特征在于，所述第一次镓面研磨过程中，所述氮化镓衬底的厚度去除量与所述氮化镓衬底的初始厚度减去所述预设厚度的差值之差大于或等于0，且小于或等于30μm；所述第一次氮面研磨后得到的氮化镓衬底的厚度与所述预设厚度的差值为60μm～150μm。3.根据权利要求1所述的减小氮化镓衬底翘曲的方法，其特征在于，所述第二研磨轮中的磨料粒径呈正态分布；所述第三研磨轮中的磨料粒径呈正态分布；所述第二次氮面研磨过程中，氮化镓衬底的去除量大于所述第二研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值，且小于所述第二研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值的5倍；所述第二次镓面研磨过程中，氮化镓衬底的去除量大于所述第三研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值，且小于所述第三研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值的5倍。4.根据权利要求1所述的减小氮化镓衬底翘曲的方法，其特征在于，所述化学机械抛光过程中，氮化镓衬底抛光去除的厚度小于或等于2μm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的减小氮化镓衬底翘曲的方法，其特征在于，使用第四研磨轮对所述氮化镓衬底的镓面进行第二次镓面研磨之后，且对上一步骤所得的氮化镓衬底进行化学机械抛光之前，还包括：使用第五研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行第三次氮面研磨，所述第五研磨轮中磨料的最大粒径小于所述第四研磨轮中磨料的最小粒径；使用第六研磨轮对氮化镓衬底的镓面进行第三次镓面研磨，所述第六研磨轮中磨料的最大粒径小于所述第五研磨轮中磨料的最小粒径。6.根据权利要求5所述的减小氮化镓衬底翘曲的方法，其特征在于，所述第四研磨轮中的磨料粒径呈正态分布，所述第五研磨轮中的磨料粒径呈正态分布；所述第三次氮面研磨过程中，氮化镓衬底的去除量大于所述第四研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值，且小于所述第四研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值的5倍；所述第三次镓面研磨过程中，氮化镓衬底的去除量大于所述第五研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值，且小于所述第五研磨轮中磨料粒径的正态分布中间值的5倍。7.根据权利要求6所述的减小氮化镓衬底翘曲的方法，其特征在于，使用第六研磨轮对所述氮化镓衬底的镓面进行第三次镓面研磨之后，且对上一步骤所得的氮化镓衬底进行化学机械抛光之前，还包括：使用再一研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行再一次氮面研磨，该步骤中研磨轮的最大粒2CN115020214A权利要求书2/2页径小于上一步骤中对氮化镓衬底的镓面进行镓面研磨的研磨轮的最小粒径；使用又一研磨轮对氮