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手工计算了一个反激电源的补偿参数(完整版)实用资料 (可以直接使用,可编辑完整版实用资料,欢迎下载) 手工计算了一个反激电源的补偿参数,用的双极点双零点方式。先传我的计算过程和画的伯德图吧,大家找找里面的错误吧。 公式编辑器,在这里看不到,就转成图片格式来看,看不清的地方,请看附件完整版,谢谢 图片有些看不到,这个转成PDF格式的,看这个吧 1.原理图 2.技术指标 (1输入电压:185VAC~240VAC (2输出电压1:+5VDC,额定电流1A,最小电流750mA;(3输出电压2:+12VDC,额定电流1A,最小电流100mA;(4输出电压3:-12VDC,额定电流1A,最小电流100mA;(5输出电压4:+24VDC,额定电流1.5A,最小电流250mA; (6输出电压纹波:+5V,±12V:最大100mV(峰峰值;+24V:最大250mV(峰峰值 (7输出精度:+5V,±12V:最大±5%;+24V:最大±10%;(8效率:大于80%3.参数计算(1输出功率: 5V112V1224V1.565 outPAAAW=⨯+⨯⨯+⨯=(3-1(2输入功率: 6581.2580%0.8 outinPW PW= ==(3-2(3直流输入电压:采用单相桥式不可控整流电路 (max240VAC1.414=340VDCinV=⨯(3-3(min185VAC1.414=262VDCinV=⨯(3-4 (4最大平均电流: (max (min81.25 0.31262in ininPWIAVV == =(3-5 (5最小平均电流: (min(max inininPW IAV= = =(3-6(6峰值电流: 可以采用下面两种方法计算,本文采用式(3-8的方法。 IIAVDVVV ⨯== ====⨯(3-7 IIAVV ⨯== ==(3-8(7散热: 基于MOSFET的反激式开关电源的经验方法:损耗的35%是由MOSFET产生,60%是由整流部分产生的。开关电源的损耗为: (180%81.25 20%16.25DinPPWW=⨯-=⨯=(3-9MOSFET损耗为: 35%16.2535%5.69DMOSFETDPPWW-=⨯=⨯=(3-10 整流部分损耗: (555( 60%(16.2560%0.756565DVDWWPPWWWW+=⨯⨯=⨯⨯=(3-11(1212122(60%2(16.2560%3.66565DVDWW PPWWWW±=⨯⨯⨯=⨯⨯⨯=(3-12 (2423636(60%(16.2560%5.46565DVDWW PPWWWW +=⨯⨯=⨯⨯=(3-13 (8变压器磁芯: 采用天通的EER40/45,饱和磁通密度Bs在25℃时大于500mT,在100℃时大于390mT。窗口有效截面积Ae=152.42mm2。 所以,取 max11 sBBTT= =⨯≈(3-14Ae=152.42mm2(3-15 (9开关电源频率: 40fkhz=(3-16 (10开关电源最大占空比: max0.4D=(3-17 (11初级绕组电感最小值Lpri: in(minmax pripk2620.4 AKHz ⨯= = =⨯(3-18 在每个开关管导通的每个周期中,存储在磁芯的能量为: 2storedpripk1ELI2 = (3-19要验证变压器最大连续输出功率能否满足负载所需的最大功率,可以使用下式: 2 in(corepripkout1PLIfP2 = >(3-20(12气隙: 为了防止饱和所要加的气隙: 2 pripk gap2emax 0.4LIlAB π= (3-21 maxB:单位为特斯拉T;gapl:单位是厘米;priL:单位为H; pkI:单位为A; eA:单位为cm2;2 32pripk gap222 emax LIlcmABππ--⨯⨯⨯= ==⨯⨯(13初级绕组匝数: 4pripkpriemax (LI10NAB= (3-22 maxB:单位为特斯拉T;priL:单位为H; pkI:单位为A; eA:单位为cm2; 434pripkpri2 emax = --⨯⨯⨯==≈⨯⨯(14+5VDC次级绕组匝数: priout(nfwd(nmaxout(nin(minmax N(VV(1 NVDD+-= (3-23 fwdVVV=+整流二极管正向降波感正向降滤电压(3-24 out(nN是第n个次级绕组的匝数;out(nV是第n个次级绕组的输出电压; fwd(nV是第n个次级绕组的输出整流器的电压降; priout(nfwd(nmaxout(+5Vin(minmax N(VV(1 86(51(10.4 N3V2620.4 DD+-⨯+⨯-= = =⨯ (15+12VDC次级绕组匝数: priout(nfwd(nm