S波段GaN基HEMT内匹配平衡功率放大器研究的开题报告.docx

S波段GaN基HEMT内匹配平衡功率放大器研究的开题报告
1.研究背景及意义：
高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种高性能微波功率放大器中广泛使用的器件，主要用于通信、雷达、卫星通信等领域。HEMT器件的优点是具有高增益、高度可靠性和高线性度等特点。然而，GaN基HEMT器件的使用也存在一些问题，例如输出压降和器件的损伤问题。
为了解决这些问题，我们考虑通过内匹配平衡技术改善GaN基HEMT器件的性能，设计一种新型的内匹配平衡功率放大器。
2.研究内容：
本研究的主要内容包括：
（1）分析国内外现有的内匹配平衡技术，比较其优点和缺点，选择最适合GaN基HEMT器件的技术。
（2）设计并制作GaN基HEMT器件，并进行相关测试，其中包括电流分布、移频响应等测试。
（3）设计并制作内匹配平衡功率放大器，进行相关测试，并对测试结果进行分析和优化。
（4）根据测试结果，进一步完善内匹配平衡功率放大器，同时探索其在通信、雷达、卫星通信等领域的应用。
3.研究方法：
本研究将采用以下方法：
（1）对现有内匹配平衡技术进行综合分析和比较，选择最适合GaN基HEMT器件的技术。
（2）利用半导体加工工艺制作GaN基HEMT器件，并进行相关测试，如电流-电压特性、微波特性等测试。
（3）设计内匹配平衡功率放大器电路，制作器件，并进行相关测试。
（4）基于测试结果对内匹配平衡功率放大器进行优化，并进行性能分析和应用研究。
4.研究预期成果：
本研究的预期成果包括：
（1）设计并制作出一种基于内匹配平衡技术的GaN基HEMT功率放大器。
（2）验证该内匹配平衡功率放大器的输出功率、线性度等性能，并进行性能分析。
（3）探索内匹配平衡功率放大器在通信、雷达、卫星通信等领域应用的可能性。
（4）为GaN基HEMT器件的性能改善提供新思路和途径。
5.研究进度计划：
本研究计划分为以下几个阶段：
第一阶段：文献综述和技术选择（1个月）
第二阶段：制作并测试GaN基HEMT器件（2个月）
第三阶段：设计和制作内匹配平衡功率放大器，并进行测试（4个月）
第四阶段：性能分析和优化（1个月）
第五阶段：应用研究和论文撰写（2个月）