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4.5组合可编程逻辑器件4.5.1PLD的结构、表示方法及分类与 阵列2.PLD的逻辑符号表示方法(2)基本门电路的表示方式三态输出缓冲器(3)编程连接技术连接(4)浮栅MOS管开关 当浮栅上带有负电荷时,使得MOS管的开启电压变高,如果给控制栅加上VT1控制电压,MOS管仍处于截止状态。5VL=B•C浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A(埃)的薄绝缘层——隧道区。结构特点: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区,而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的; 2.浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。3.PLD的分类(2)按结构特点划分与阵列、或阵列 均可编程(PLA)4.5.2组合逻辑电路的PLD实现AnBnCn例2:试写出该电路的逻辑表达式。小结章小结分别用74HC138、74HC153设计一个1位二进制全减器。(可适当的加门电路)