拉曼光谱检定规程.doc

拉曼光谱仪（RenishawinVia）检定规程
光谱稳定性与重复性repeatability，（重复性是考验仪器的最重要指标之一,此检测条件与仪器设计无关）

重复性：光栅动。每次检测，光栅从0波数到最大波数移动，再回到检测位置（0波数）。使用表面抛光的单晶硅，扫描范围：100~4500cm-1，（不能采用光栅先回到-4000cm-1，再定位到0波数扫描的方式），重复不少于30次。观测硅一阶峰中心位置重复性好于<=±？cm-1。

稳定性：光栅不动，（此试验较为容易），使用表面抛光的单晶硅，扫描范围：100~1000，重复不少于30次，观测硅一阶峰中心位置重复性好于<=±？cm-1。

仪器灵敏度：Sensitivity:
一般性实验条件：
检测硅三阶峰，（信噪比越高越好）
检测条件为：激光输出功率约为20mw，波长514nm或532nm，
狭缝宽度50微米,曝光时间60秒，累加次数5次，（或曝光时间100秒，累加次数3次，）
光栅刻线为大于等于1800刻线。binning=1，显微镜头为X50或X100。

高分辨或共焦实验条件：
检测硅三阶峰（信噪比越高越好）
检测条件为：激光输出功率约为20mw，波长514nm或532nm，
狭缝宽度(Renishaw<=20微米)；曝光时间60秒，累加次数5次，（或曝光时间100秒，累加次数3次，）
光栅为大于等于1800刻线。binning=1，显微镜头为X50或X100。

空间分辨率：Spatialresolution
横向XY，样品为硅片锐利边缘。
纵向Z，样品为硅片。
检验标准：使用表面抛光的单晶硅做样品，采用100×物镜，垂直硅片断裂边做线Mapping，Mapping步长0.2um，记录硅520拉曼信号强度在扫描经过硅片边界过程的变化曲线，强度从最弱到最强变化经过的空间距离的一半为横向空间分辨率；
对硅片表面进行深度序列扫描，扫描范围从表面以上10um到便面以下10um，步长为1um，记录硅520拉曼信号的强度变化，强度变化曲线的半高全宽（FWHM）为纵向空间分辨率。

阻挡激光水平：Laserblocking:（514nm,or532nm,and633nm,785nm）
使用表面抛光的单晶硅做样品，同时观测激光线(以上各个波长)和硅一阶峰(520cm-1，该峰拉曼强度>13,000光子计数/秒)，检测激光线强度与硅一阶峰强度的比值.使用X50或X100倍物镜，狭缝大小为通常拉曼试验设置水平。（狭缝>=100um;针孔>=200um）

光谱分辨率：Resolution
样品为氖灯585nm线线半高宽
一般检测条件为：狭缝宽度<30微米；曝光时间1秒，>=1800刻线光栅。binning=1，显微镜头为X50或X100。
使用灵敏度条件测分辨率:测氖灯585nm线线半高宽=？cm-1
Renishaw:Slit=20um,光栅=1800l/mm（或2400l/mm）,
（Horiba:Slit=100um,光栅=600l/mm,？？）

去除等离子线：Plasmalineblocking:
在100~4000cm-1内无等离子线。实验条件：10mW（必要时由功率计测量）激光功率照在抛光的单晶硅表面，曝光时间60秒，累加次数3次，X50或X100倍物镜。