一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构.pdf
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一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构.pdf
本发明公开了一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构,采用四周支撑结构支撑整个可动结构,并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度,传感器所处温度变化时,由于材料热膨胀系数失配产生的热应力可通过应力释放梁释放,可显著降低中心敏感结构上所受的热应力,提高传感器输出特性的温度稳定性。
一种具有应力释放的双质量MEMS陀螺敏感结构.pdf
本发明涉及一种具有应力释放的双质量MEMS陀螺敏感结构,采用四周支撑结构支撑整个可动结构,并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度,可显著降低四周支撑结构内的中心敏感结构上在环境温度变化过程中所受的热应力,提高传感器输出特性的温度稳定性。四周支撑框架可是两侧质量块运动过程中的产生弹性力相互抵消,从而极大幅度的降低了整个可动结构的支撑锚区所受弹性力,显著降低了锚区疲劳损耗,提高了传感器的可靠性。
一种具有应力补偿功能的MEMS加速度计.pdf
本发明涉及一种具有应力补偿功能的MEMS加速度计,包括由上至下按序层叠设置的上方硅帽层、平面结构层及下方硅衬底层,所述平面结构层包括沿Z轴运动的质量块及至少分布在质量块一侧的检测电极,所述质量块与检测电极构成一对平行板电容;在所述质量块同一层结构上设置有不敏感输入加速度的结构,通过结构与两个检测电极分别构成两组应力检测电容,以实现对封装应力的测量;并通过两组应力检测电容构成一对差分电容,其输出的电容差分变化量为ΔC
具有应力结构的MEMS薄膜.pdf
本公开的实施例涉及具有应力结构的MEMS薄膜。盲孔被形成在半导体基底的底表面中,以限定从基底框架悬置的薄膜。该薄膜具有顶侧表面和底侧表面。应力结构被安装到薄膜的顶侧表面或底侧表面中的一个表面。应力结构引起薄膜弯曲,该弯曲限定薄膜的正常状态。压电电阻器由薄膜支撑。响应于施加的压力,薄膜被弯曲远离正常状态,并且压电电阻器的电阻变化是施加的压力的指示。
一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构.pdf
本发明提出一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构,实现三个轴向加速度的检测。通过结构对称性设计、检测差分设计、“工”字型弹性梁设计、交叉轴解耦设计显著降低交叉轴耦合。将检测梳齿锚区位置设计在结构轴线两侧附近,降低了温度变化过程中检测锚区在垂直于结构轴线方向上的位移,降低了环境温度变化时热应力对检测电容间隙变化的影响,提高加速度计输出特性的温度稳定性。