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TC2263(电流模式PWM控制IC).pdf

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台湾裕晶有限公司 TC2263（文件编号：S&CIC0882）电流模式PWM控制器 一、概述 TC2263是一款高性能、高集成度、低功耗及低成本离线式电流模式PWM控制器芯片，专门为低于30W的 应用进行了特别优化。 TC2263采用了低启动电流和低工作电流设计。在启动电路中使用了较大的启动电阻以得到较小的启动电流， 有效减小了系统的静态功耗，缩短系统的启动时间。低工作电流可有效降低系统的损耗，提高系统的效率。在空 载或者轻载时，IC进入间歇模式降低开关频率，减少开关损耗，使得系统有较低的静态功耗和较高的转换效率。 内置频率抖动设计可以有效的改善系统EMI特性。 TC2263内置斜坡补偿提高了系统大占空比输出时的稳定性。电流检测输入端内置前沿消隐电路，增加了系 统的抗干扰能力，减少了外围器件数量并降低了系统成本。 二、特点 低功耗、无噪声过载保护 启动电流低至3uA限流保护、欠压锁定 工作电流约1.4mA内置前沿消隐 较少的外围器件内置频率抖动 三、应用范围 充电器、适配器开关电源 便携式设备 四、内部方框图 RI Voltage/Current GATE ReferenceSoft Driver SQ VDDPORRQVDD UVLOBurst OSCmodecontroller VDD ClampingFrequency ShufflingControl Voc_ref SENSE OCLineLEB RegulatorCompensation InternalOC SupplyComp Slope Compensation PWMFB Comp Slope Compensation GND Page1of8 台湾裕晶有限公司 TC2263（文件编号：S&CIC0882）电流模式PWM控制器 五、典型应用 1 ACINEMI42 Filter+ 3 + DCOUT + VDD GATE RISENSE FB GND 六、管脚图及管脚说明 GATEVDDSENSE 654 GATE18GND GATE18GND VDD27FB VDD27FB NC36NCNC36NC 123 SENSE45RISENSE45RI GNDFBRI SOT-26SOP-8DIP-8 TC2263MPTC2263CPTC2263AP 管脚名称I/O功能说明 GNDP芯片地 FBI反馈输入端 RII振荡频率设置端。改变连接到地的电阻设置PWM频率。 SENSEI电流检测输入端。连接到电流采样电阻。 VDDP电源输入端 GATEOPWM输出端。连接开关管栅级。 Page2of8 台湾裕晶有限公司 TC2263（文件编号：S&CIC0882）电流模式PWM控制器 七、最大额定值 参数额定值 VDDDC电源电压30V VDD钳位电压34V VDDDC钳位电流10mA VFB输入电压-0.3-7V VSENSE输入电压-0.3-7V VRI输入电压-0.3-7V 工作结温-20℃-150℃ 贮存温度-55℃-160℃ 注：最大允许额定值是指超过这些值可能会损坏器件，在这些条件式之下是不利于的器件工作的。器件连续工作 在最大允许额定值下可能影响器件可靠性。所有的电压均是相对于器件GND的电压差。 八、电气特性（参数都是在TA=25℃的工作条件下测得，有另有注明的除外） 符号参数测试条件最小值典型值最大值单位 电源电压（VDD） I_VDD_StartupVDD启动电流VDD=12.5V，RI=100K320uA I_VDD_Ops芯片工作电流VDD=16V,RI=100K,VFB=3V1.4mA UVLO(ON)进入欠压保护7.88.89.8V UVLO(OFF)退出欠压保护131415V VDD_ClampVDD钳位电压IVDD=10mA34V 反馈输入(FBPin) AVCSPWM输入增益△VFB/△VCS2.0V/V VFB_OpenFB开路电压4.8V IFB_ShortFBpin短路电流0.8mA VTH_0DPWM0占空比时FBVDD=16V,RI=100Kohm 0.75V 门限电压 VTH_PL过载保护FB门限电 3.7V 压 TD_PL过载保护延时35mSec ZFB_INFB输入阻抗6Kohm DC_MAX最大占空比V=18V,R=100Kohm, DDI75% FB=3V,CS=0 电流检测输入(SensePin) T_blanking前沿消隐时间RI=100Kohm300ns ZSENSE_INCS输入阻抗40Kohm T_OC过流检测延时VDD=16V,CS>VTH_OC, D75nSec FB=3