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信息探测材料(2) InformationDetectorMaterials 光电技术学院 主要内容 v光电导探测器——光敏电阻 vPN结光伏探测器的工作模式 v硅光电池——太阳电池 v光电二极管 v光热探测器 ™热敏电阻 ™热释电探测器 光电导探测器 半导体材料受光照射时,由于吸收光能量而形成非平衡载流 子而导致材料电导率增加,这种现象称为光电导效应。利用 光电导效应制作的光探测器称为光电导探测器,简称PC (Photoconductive)探测器,通常又称为光敏电阻。 1、工作原理 光电导探测器是在均质的光电导体两端加上电极后构成的。两电极 加上一定电压后,当光照射到光电导体上时,材料形成本征吸收或 杂质吸收,产生光生载流子,在外加电场作用下沿一定方向运动, 在光探测器输出回路中产生反映光信号强度的光电流。 探 测 器E 工 作 P 原NXNXP 理 V 2、光电导探测器基本结构 光敏度与两电极间距离Z有关。因此,为了提高光敏电阻的光 电导灵敏度,要尽可能地缩短光敏电阻两电极间的距离,这 就是光敏电阻结构设计的基本原则。 光敏电阻结构示意 光敏电阻的结构和偏置电路 4、工作特性 (1)光谱响应特性 光敏电阻对各种光响应灵敏度随入射光的波长变化而变化的 特性称为光谱响应特性。谱响应特性通常用光谱响应曲线、光 谱响应范围、峰值响应波长以及长波限来描述。把响应度随波 长变化的规律画成曲线称为光谱响应曲线。 通常取响应的相对变化值,并把响应的相对最大值作为1,这 种曲线称为“归一化光谱响应曲线”。 (2)伏安特性 光敏电阻的本质是电阻,符合欧姆定律,因此它具有与普通 电阻相似的伏安特性,但是它的电阻值是随入射光功率而变 化的。 暗电阻:光敏电阻在室温条件下,全暗(无光照射)后经过 一定时间测量的电阻值,称为暗电阻。此时在给定电压下流 过的电流为暗电流。 亮电阻:光敏电阻在某一光照下的阻值,称为该光照下的亮 电阻。此时流过的电流称为亮电流。 实用的光敏电阻的暗电阻往往超过10MΩ,甚至高达100MΩ, 而亮电阻则在几kΩ以下,暗电阻与亮电阻之比在102~106之 间,这一比值越大,光敏电阻的灵敏度越高。 (3)时间响应特性 光敏电阻的时间响应(又称为惯性)比其他光电器件要差一些, 频率响应要低一些,当用一个理想方波脉冲辐射照射光敏电阻 时,光生电子要有产生的过程,光生电导率,要经过一定的时 间才能达到稳定。当停止辐射时,复合光生载流子也需要时间, 表现出光敏电阻具有较大的惯性。 (4)温度特性 光敏电阻是多数载流子导电,温度特性复杂。随着温度 的升高,光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降,温度的 变化也会影响光谱特性曲线。观测光敏电阻的相对光电 导率随温度的变化关系,可以看出光敏电阻的相对光电 导率随温度的升高而下降,光电 响应特性随着温度的变化较大。 因此,在温度变化大的情况下, 应采取制冷措施,尤其对长波长 红外辐射的探测领域更为重要。 3、几种典型的光敏电阻 (1)CdS和CdSe探测器 这是两种低造价的可见光辐射探测器,它们的主要特点是高可靠和 长寿命,因而广泛应用于自动化技术和摄影机中的光计量。这两种 器件的光电导增益比较高(103~104),但响应时间比较长(大约 50ms)。 123 1--光导层; 4玻璃窗口 52--; R 6G3--金属外壳; 4--电极; 7 5--陶瓷基座; 6--黑色绝缘玻璃; (a)结构(b)电极(c)符号 7--电阻引线。 CdS光敏电阻的结构和符号 (2)PbS探测器 这是一种性能优良的近红外辐射探测器,其波长响应范围在 1m~3.4m,峰值响应波长为2m,内阻(暗阻)大约为1M,响 应时间约200s,室温工作能提供较大的电压输出。广泛应用于遥 感技术和武器红外制导技术。 (3)InSb(锑化铟)探测器 主要用于3m~5m波段的大气窗口。 在77k下,长波限为5.5m,峰值响应波长为5μm,峰值比探测 率D*=4.3×1010cm·Hz1/2/W (4)HgxCd1-xTe(碲镉汞)探测器 HgxCd1-xTe也简写为MCT或CMT,它是由HgTe和GdTe两种材 料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线性变化。 当x=0.2时响应波长为8~14μm,工作温度77k。 pn结光伏探测器 光伏探测器是利用半导体PN结光伏特效应而制成的探测器, 简称PV(Photovoltaic)探测器。PN结光伏探测器的典型结 构及作用原理如下图所示。 RL 光伏探测器工作模式 光伏探测器工作模式:光伏模式和光导模式。在零偏压时称 为光伏工作模式,在反偏电压时称为光导模式。 光导模式光伏模式 硅光电池——太阳电池 硅光电池的用途大致可分为两类: