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电子电路计算机仿真技术温度分析Temperature(Sweep)
在SimulationSetting的Analysistype中选择ACSweep/Noise，在Options中选中Temperature(Sweep)，如下所示：对下图差动放大电路进行温度分析。分析电路在27、40、60度下的频响情况。ACSweep的频率从1-1GHz，倍频采样点为101。三条波形对应于三个不同的温度下电路对V(out2)节点的增益三条波形对应于三个不同的温度下的Ic设置和运行参数分析(ParametricSweep)
在SimulationSetting的Analysistype对话框中选择TimeDomain(Transient)，在Options中选中ParametricSweep：参数分析的设置方法与DCSweep的设置方法完全一样，只是在DCSweep时，把电路中的电感短路、电容开路。
例：以下图为例，下图是一个简单的RLC滤波器，将分析在输入阶跃信号作用下，输出信号的上升时间以及过冲与电阻R1的关系。电路输入源采用Source库中的IPWL，0-10MS时没有电流，从10MS-10.1MS电流线性上升，直达1A，然后保持不变。
在瞬态分析下附带对全局参数变量R进行参数分析。瞬态分析时间为0-20S，最大步长为100MS；参数分析采用线性变化，从0.5-1.5欧姆，增量为0.1。
完成分析参数设置后，首先按常规方法进行模拟分析，然后在Probe窗口中调入参数扫描分析的全部11批数据。用户可选择显示某一批分析数据，以查看分析结果。例如，选择执行Trace/AddTrace子命令，并在Trace/AddTrace设置框中指定显示的信号为：I(L1)@9，即显示第9批分析中(对应R1＝1.5)，流过电感L1的电流。“上升时间”以及“过冲”性能分析：
选择执行Plot/XAxisSettings子命令，并在屏幕上显示的x轴设置框的ProcessingOptions子框内，选中“电路性能分析(PerformanceAnalysis)”，然后单击OK按钮，启动电路性能分析过程。屏幕上出现电路性能分析显示窗口，x轴成为参数扫描分析中的变量，即电阻R。
选择执行Trace/Add子命令，并在屏幕上显示的Trace/AddTrace设置框中，确定显示的特征值函数及自变量为：genrise(I(L1))，然后单击OK按钮，屏幕上显示出上升时间与R的关系曲线。选择执行Plot/AddYAxis子命令，在电路性能分析显示窗口再增加一根y轴，用于显示过冲特性。
重复上述步骤(b)，确定显示的特征值函数及自变量为Overshoot(I(L1))，然后单击OK按钮，屏幕上增加显示过冲与R的关系曲线，结果如下图所示。给电容赋值为{c1}从SPECIAL库中取PARAM并编辑其属性设置和运行参数分析(ParametricSweep)
在SimulationSetting的Analysistype对话框中选择TimeDomain(Transient)，在Options中选中ParametricSweep：作业设置和运行MonteCarlo/Worst-Case
在SimulationSetting的Analysistype对话框中选择TimeDomain(Transient)，在Options中选中MonteCarlo/Worst-Case:设置和运行MonteCarlo/Worst-CaseYMax
Max
Min
Rise_edge
Fall_edgeMoresetting…：点击MoreSetting按钮，将弹出如下对话框注意：运行蒙托卡诺分析的前提条件是:元器件必须含有偏差属性。
设置方法如下：
为了适应统计分析中模型参数要在一定范围内变化的要求，PSpice中专门提供了统计分析用的元器件符号库，其名称为BREAKOUT。
库中无源元器件符号命名：关键字母后＋BREAK：如电阻、电容和电感符号的名称分别为RBREAK、CBREAK和LBREAK。
对半导体有源器件，为了进一步区分其不同类别，在BREAK后还可再加一些字符。例如双极晶体管符号名又分为代表横向PNP（LPNP）的QBREAKL，代表NPN晶体管的QBREAKN等，代表PNP管的QBREAKP等。蒙托卡诺分析中元器件参数偏差设置每次分析中的抽样是按照随机数发生器产生的随机数进行的。PSpice对LOT和DEV两种发生器均提供有10个编号的随机数发生器，用0,…,9表示。
如果希望同一个模型中的几个模型参数甚至不同模型间的模型参数按同一组随机数产生的随机数抽样，只需要在这几个模型参数的设置中，在LOT或DEV后面紧跟同一个编号的lot#，其中lot#为0,…,9中的某一数字，在lot#前需加斜杠符