双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜.ppt

双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜¤研究背景
¤实验方法
¤结果与分析
¤结论一、研究背景SiC虽是间接带隙半导体，但目前人们研制的具有纳米结构的SiC材料已能有效发射蓝光。目前SiC体单晶的生产已日趋完善。但氮化镓材料发光效率极高，SiC材料发光效率却相对较低。如何提高SiC材料的发光效率现成为国际上的一个非常热门的话题的研究领域。☆化学气相沉积（CVD）
☆分子束外延(MBE)
☆磁控溅射
☆脉冲激光淀积(PLD)
☆离子注入：采用双离子束溅射的方法分别制备了无辅源离子轰击SiC薄膜、能量为150eV的辅源离子轰击SiC薄膜，通过SEM、XRD、Raman、透射谱等手段测试分析了薄膜的表面形貌、结构、光学性质等。二、实验方法三、结果和分析图3（c）无辅源轰击的截面SEM图，（d）能量为150eV辅源轰击的截面SEM图2.SiC薄膜结构的FTIR分析
红外光谱是研究红外光通过样品被吸收的情况,红外光谱最适宜于研究不同原子的极性键(如C=O,O-H,C-H,N-H)的振动。3.SiC薄膜结构的Raman分析离子束轰击后，位于480cm-1的Si-C键和1300-1600cm-1光谱区的C=C的吸收峰都变小，且C=C峰向高频方向移动，这表明sp3/sp2的比率降低，同时多余的C原子或者sp2键的团簇的尺寸变小。4.SiC光吸收特性4.2光吸收边的确定四、结论Thanksforyourattention!