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从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法
摘要：采用一种简单可行的方法，在TI公司TMS320C6XDSP集成开发环境CCS2.0下，通过JTAG口实现对DSP外部Flash可擦写存储器的在线编程;将用户数据文件烧写到DSP的外部Flash中，并在TMS320C6711DSP板上多次测试通过。关键词：嵌入式系统DSPFlashJTAG在线编程CCS2.0引言在采用TI数字信号处理器（DSP）的嵌放式硬件系统开发完成，软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后，怎样将编译、链接后生成的可执行文件（.Out），经过转换后的十六进制文件（.Hex）写入硬件系统的Flash存储器中，让系统脱机运行，这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例，介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。1Flash存储器的擦除Flash编程之前，应对Flash进行擦除，使其每个数据位都恢复为1状态，即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期，总线时序如图1。从图1可知，各总线周期的操作为：第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H；第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。完成上述操作后，Flash存储器被完全擦除，内部数据恢复为初始状态，全为FFH。在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：voiderase_flash(){*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055；*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010；}在TMS320C6711系统中，Flash所在地址段为CE1空间，其开始地址为0x90000000。这样，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为：#defineFLASH_ADR10x90005555#defineFLASH_ADR20x90002AAA需要说明的是，在对Flash进行擦除时，应对DSP及EMIF外存储器接口进行初始化，CE1空间定义为8位读写模式。初始化函数如下：voidc6x11_dsk_init(){/*DSP和EMIF初始化*/CSR=0x100;/*禁止所有中断*/IER=1；/*禁止除NMI外的所有中断*/ICR=0xffff;/*清除所有未完成的中断*/*（unsignedvolatileint*）EMIF_GCR=0x3300;*(unsignedvolatileint*)EMIF_CE0=0x30;*(unsignedvolatileint*)EMIF_CE1=0xffffff03;*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDRP=0x61a;*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDEXT=0x54529;}2Flash存储器的编程对Flash存储器进行字节编程之前，需要对它进行3个周期的编程指令操作，总线时序如图2。从图2可知，各总线周期的操作如下：第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据A0H；第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据；……在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：/*---------------------------------------------------------------------*//*入口参数：pattern[]：数组，用于存储编程数据*/*/start_address:所要编程的起始地址指针*//*page_size：所要编程的Flash的页面尺寸*//*出口参数：无*//*--------------------------------------------