硅外延片生产工艺技术研究.pdf

南学工程硕士学位论文UDC：——学号：Q鲤152东大分类号；zf碰硅外延片生产工艺技术研究答辩委员会主席茳亟熟熟．缝人丛垒赵拙蜜孑∥，r熬攫高溘啦垄送研究生姓名：导师姓名：亟±学科专业名称徽皇王堂刍固佳电壬堂论文提交日期2QQ皇生§目】a目论文答辩日期窒QQ3生】2目2Q目峦直太堂申请学位级别学位授予单位学位授予日期阗2003年12月20日级：评密，‘
签名：链导爨签名：繇盎壹嘿盟』盈嬲：堕』：?y9'；2881关予学位论文使用授权的说明学位论文独创性声明东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交的学位论文的复印释窝魄予文穗，可戳采角彩印、缩印成其氆复籍手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保部分内容。论文的公布(包捂刊登)授权东南大学研究生院办理。巢。尽我辑知，除了文中特鞠翔以标注鞠致落静建方拜。论交中不包禽其氇A基经发密论文外，允诲论文被套询秽岱阕，可以公布(包括列登)谂文的全郝或本人声明；所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成表或撰写过的研究成果，也不包含为获得东南大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的榜料。与我一嗣工作盼同志对本研究赝做的{壬侮贡献均已在论文中嚣了明确兹说明并表示了谢意。
摘要▲■■lr．一，、●，}关键词：外延，掺杂，背封，电阻率材料及其制备工艺的研究也越来越重要。外延层工艺材料最初用于双极集成电路、高压器件，在MS集成电路中主要用于电路性能的改善。随着半导体工业的发展，对硅外延片的需求量大大增加，国内分立器件厂商纷纷上马4—6英寸工艺生产线。P型硅外延片是制备片的生长原理、测试技术、生长参数的影响和生长工艺进行了深入研究。通过采用常压外延、中，降低了生产成本，提高了经济效益。随着国内电子信息产业的飞速发展，对电子元器件的需求量越来越大，对电子元器件VDMOSFET、IGBT等多种新型电力电子器件的主要原材料，现在已越来越多地受到人们的重视。本论文针对电子元器件生产厂商的需求，研制开发硅外延片生产工艺技术，解决批生产工艺问题。批量生产中的核心问题是产品参数控制的稳定性、均匀性和可重复性，从而提高外延片的成品率。本文讨论了影响硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素，对硅外延背面封闭等技术，充分抑制高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应，使得外延层电阻率得到精确的控制。本文的研究结果已成功地应用到4英寸P／P+高阻厚层硅外延片的生产03
ABSTRACTstability,uniformitylayer-Thetechnologytechnology,thewords：epitaxial，doping，backblocking，resistanceWithandperformanceMOSdemandsmanufacturersmanyVDMOSFET．IGBTconstantKeydevelopmentinformationcomponents，therefore，itbecomesimpoaantsomematerialsfabricatedmaterialthebipolarmainlyimprovewithsemiconductorfordomesticdiscreteimportantkindsmoreemphasizesfabricatingdemandofmanufacturercomponentsparametermaingrowingaredopedtemperaturepressureotherprecisionresearchproductioneconomicrapidelectronicindustrycountrytheregreaterverydoresearchesitsprocess．TheepitaxialisoriginallyusedinICshighvoltagedevices，speciallyitICs．Alongsiliconwafersappear．Thedevicesinitiateconstruction4---6incheswaferlines．Ptypewafers，whichnewsuchattractingattention．ThispaperR&Dprocessbatchdevices．Thekeyincreaseyieldrepeatabilitycontr01．Thefactorswhichaffectstabilitycontrolresistivitydiscussed．Andprinciple，testingeffectalsostudied．Theself-dopinglow—resistanceheavyboronsubstraterestr