GaAs材料光电压谱特性分析.pdf

南京理工大学

硕士学位论文

GaAs材料光电压谱特性分析

姓名：任浩

申请学位级别：硕士

专业：物理电子学

指导教师：钱芸生

20090530
摘要关键词：布及角分布集中，长波阈可调，长波响应扩展潜力大等优点，在近几十年中取得了迅猛的、设备相对简单的测试方法对GaAs材料参数测试是本文主要研究和讨论的问题。本究，主要内容如下：首先，介绍了GaAs光电阴极的发展和应用，分析了光电压谱测试技术在GaAs光电阴极材料测评中的优越性与可行性，阐述了表面光电压的产生以及表面光电压测试技术的原理，论述了对GaAs光电阴极的扩散长度进行测试的方法。其次，对GaAs光电压谱测试系统的硬件和软件进行了改进，重点对光源系统、信口通信实现上位机和下位机的数据交换，实现了数据的自动采集；编写了数据采集、处给出GaAs光电阴极光电压谱的测试结果和扩散长度的计算结果。GaAs光电阴极，光电压谱，扩散长度，测试负电子亲和势砷化镓(GaAs)光电阴极具有量子效率高，暗发射小，发射电子能量分发展，并在微光夜视领域得到了普遍应用。目前在激活前对GaAs半导体材料参数的测试和评估比较困难，如何通过非破坏性文正是从这一原因入手结合项目开展了GaAs光电阴极表面光电压测试和扩散长度的研号采集部分和测试软件进行了改进。设计定做了石英光纤束，提高了传光效率；利用串理和分析模块，最终实现了对GaAs光电阴极基片材料的光电压谱的测试和分析。最后，利用研制的光电压谱测试系统对GaAs光电阴极基片材料进行了测试分析，硕士论文C_,aAs材料光电压谱特性分析
parametersimprovementssystem．Thediffusioncathode．Thespectroscopy,Diffusionhi曲quantumAbstractarsenide(GaAs)photocathodeefficiency,lowcurrent，concentratedenergyanglewavebanddevelopmentquickly,andusedpresent，itandequipmentsemiconductor．Thiscontentscurrentphotocathode，analyzeadvantageTechnique，discussesSecond，thecollectingfib％automaticanalyzeSpectroscopyKeylength，Testgalliummanyvirtues，suchasdarkdistribution，greatperformance，duringthedecadesisthereforewidelylow—light-levelnighthardresearchbeforedissertationmainlysimpletodeeplyPhotovoltaicimportantsummarizedFirst，theapplicationofmethodphotocathode．introduceshardwaresoftware，Source，themodulesoftwareprogramFinally,theGaAsSurfacephotocathodelen翻da．word：GaAs硕士论文Negativeelectronaffinityhaselectronsdistributionpotentialextendlong—wavespectralresponseon,andbecauseitssuperpastveryitinvision．Atactivation．Thehowrelativelyexplorestechniquesphoto-electricbelow：feasibilityalsoprinciplelengthdiscussesLightsignalquartzdatathroughserialportprocessdata．testingusingPhotovoltageresultcalculati．ngphotocathode，SurfacephotovoltaicteststateSOUSeonareⅡ
研究生签名：监’舯7年‘月哆日{!生[蔓了一，年‘月≯j日声明学位论文使用授权声明本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果，尽我所知，在本学位论文中，除了加以标注和致谢的部分外，不包含其他人已经发表或公布过的研究成果，也不包含我为获得任何教育机构的学位或学历而使用过的材料。与我一同工作的同事对本学位论文做出的贡献均已在论文中作了明确的说明。研究生签名：南京理工大学有权保存本学位论文的电子和纸质文档，可以借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容，可以向有关部门或机构送