从微电子器件到纳米电子器件 (2).ppt
ys****39
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微电子器件(2-5).ppt
势垒电容CT2.5.1势垒电容的定义当外加电压有(-V)的变化时,势垒区宽度发生变化,使势垒区中的空间电荷也发生相应的Q的变化,如下图。(-Q)与(+Q)虽然是由空间分布的电荷所构成,但由于xp与xn远小于势垒区总宽度xd,所以可将这些电荷看作是集中在无限薄层中的面电荷。于是,PN结就像一个普通的平行板电容器一样。所以势垒电容CT可以简单地表为2.5.2突变结的势垒电容势垒区总宽度xd可以表为对于P+N单边突变结,2.5.3线性缓变结的势垒电容由扩散工艺形成的实际扩散结,其杂质分布既非突变结,
微电子器件(2-4).ppt
2.4PN结的击穿2.4.1碰撞电离率和雪崩倍增因子式中,A、B、m为经验常数,可在表2-1中查到。2、雪崩倍增因子定义:包括雪崩倍增作用在内的流出耗尽区的总电流与流入耗尽区的原始电流之比,称为雪崩倍增因子,记为M。同理,由于电子的碰撞电离在dx距离内新增的流出(x+dx)面的空穴数目为为简便起见,假设,则流出(x+dx)面的总的新增空穴数目为式中,称为电离率积分。当,总电流就是原始电流,表示无雪崩倍增效应。实际计算雪崩击穿电压VB时,常采用如下近似方法。由于随E的变化很剧烈,所以对积分起主要作用的只是电
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势垒电容CT2.5.1势垒电容的定义当外加电压有(-V)的变化时,势垒区宽度发生变化,使势垒区中的空间电荷也发生相应的Q的变化。由于xp与xn远小于势垒区总宽度xd,所以可将这些变化的电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。这时PN结势垒电容就像一个普通的平行板电容器一样,所以势垒电容CT可以简单地表为2.5.2突变结的势垒电容突变结的势垒区总宽度xd可以表为对于P+N单边突变结,2.5.3线性缓变结的势垒电容实际扩散结势垒电容CT的计算反之,则可近似看作线性缓变结,在计算CT时需要已知在结