预览加载中，请您耐心等待几秒...

场效应管的特点和分类.ppt

预览
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲，该文档总共23页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～

下载提示 文本预览

如果您无法下载资料，请参考说明：

1、部分资料下载需要金币，请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档，再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压，在使用对应软件打开

1.场效应管的特点和分类2.结型场效应管（2）结型场效应管的工作原理（如图1.4.2所示）③当vGD<VGS(off)时，vGS对iD的控制作用（3）结型场效应管的特性曲线3.绝缘栅型场效应管（1）N沟道增强型MOS管的工作原理当vGS进一步增加时，一方面耗尽层增宽，另一方面衬底的自由电子被吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称之为反型层，构成了漏-源之间的导电沟道（也称感生沟道），如图1.4.6所示。图1.4.7②转移特性（二）N沟道耗尽型MOS管（其结构和符号如图1.4.9所示）若vDS为定值，而vGS>0，vGSiD；若vGS<0，vGSiD，当vGS减小到一定值时，反型层消失，导电沟道被夹断，iD=0。此时的vGS称为夹断电压VGS(off)。 若vGS>VGS(off)，且为定值，则iD随vDS的变化与N沟道增强型MOS管的相同。但因VGS(off)<0，所以vGS在正、负方向一定范围内都可以实现对iD的控制。其转移特性曲线与输出特性曲线见教材P44。Home③饱和漏极电流IDSS：对耗尽型MOS管或JFET，VGS=0时对应的漏极电流。HomeHome场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。例题解:(a)iD>0（或vDS>0），则该管为N沟道；vGS0，故为JFET（耗尽型）。图1.4.11例1.4.2图(c)当uI=10V时，假设管子工作于恒流区，此时iD=2mA，故uO=uDS=VDD-iDRd=18-28=2V，uDS-VGS(th)=2-6=-4V，显然小于uGS=10V时的预夹断电压，故假设不成立，管子工作于可变电阻区。此时，RdsuDS/iD=3V/1mA=3k，故 图1.4.12作业：P69—70：1.20,1.22—1.24