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变频器原理及应用
概述
填图题
输入
输出交流直流直流整流斩波交流移相逆变电力电子器件
一、填空题
1、晶闸管三个电极的名称是阳极（A）、阴极（K）、和门极（G）。
2、晶闸管的动态损耗包括开通损耗和关断损耗。
4、常用的均流电路有：串联电阻均流电路、串联电抗器均流电路和采用直流电抗器的均流电路。
5、晶闸管的保护包括：晶闸管的过电流保护、晶闸管的过电压保护和电压与电流上升率的限制。
6、晶闸管的过电流保护的措施：快速熔断器保护、过电流继电器保护、脉冲移相过电流保护、利用反馈控制过电流保护、直流快速熔断器过电流保护。
7、电压与电流上升率的限制的措施：给整流装置接上整流变压器、在交流电源输入端串接空心小电阻和每个桥臂串接空心小电感或在桥臂上套入磁环。
8、由于接通、断开交流侧电源时出现暂态过程而引起的过电压称为交流侧过电压，由于交流电网受雷击或从电网侵入的干扰过电压，这种过电压作用时间长、能量大称为交流侧浪涌过电压。
9、交流侧浪涌过电压只能采用类似稳压管稳压原理的压敏电阻或硒堆元件来保护。
10、大功率晶体管（GTR）使用时必须考虑的参数：击穿电压、电流增益、耗散功率和开关速度。
11、绝缘栅双极晶闸管（IGBT）的保护包括：过电压保护和过电流保护。

12、PD是指电力二极管，其符号是

13、SCR是指晶闸管，其符号

14、GTO是指门极关断晶闸管，其符号是

15、IGBT是指绝缘栅双极型晶体管，其符号是

16、GTR是指大功率晶体管，其符号

17、MOSFET是指功率场效应晶体管，其符号是N型沟道P型沟道。
二、选择题
1:右图是（c）元件的图形符号。
A:双极晶体管
B:晶闸管
C:绝缘栅双极晶体管
D:场效应管
目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（D）。
A：SCRB：GTOC：MOSFETD：IGBT
下列元件中不属于全控器件的是（A）
A：SCRB：GTOC：MOSFETD：IGBT

三、判断题
1、“半控”的含义是指晶闸管可以被控制导通但不能用门极控制关断。（正确）
2、当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以采用两个或两个以上同型号器件相并联。当晶闸管的额定电流不能满足负载的要求时需以采用几个晶闸管串联联。（错误）

四、简答题
1、由于功率MOSFET是MOS器件，它有一定的输入电容，很容易吸收静电荷，静电荷累积过多会使极间的电压超过允许值而损坏器件。因此要注意对其的静电保护，其静电保护中应注意的事项是什么？
答：1）、功率MOSFET应放置在防静电袋子或导电泡沫塑料内，操作着要带可靠接地的防静电手腕带拿取。
2）、用手拿功率MOSFET时，不要用手触摸其管脚。
3）、工作台要采用接地的桌子和地板垫。
4）、电烙铁要良好接地，在MOSFET电控系统中要设置过电压、欠电压、过电流和过热保护单元，以保证安全可靠地工作。
2、使晶闸管导通和截止的条件是什么?
答：承受反电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才开通；晶闸管一旦导通，门极就会失去控制作用，要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。
3、什么是晶闸管的浪涌电流？
答：浪涌电流是指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。
4、功率MOSFET的保护技术有哪些？
答：栅源过电压保护、漏源过电压保护、峰值电流保护、有效电流保护、过热保护、静电保护。
5、使用IGBT时，为什么要考虑过电流和过电压保护，一般过电压常采用的保护措施有哪些？
答：1）过电流保护。若IGBT用于VVVF逆变器，当电动机启动时将产生突变电流，如果控制回路、驱动回路的配线欠合理，将会引起误动作，导致桥臂短路、输出短路等事故，使IGBT流过过电流。其中，发生短路事故时，电流变化非常迅速，而且元件要承受极大的电压和电流，所以必须快速检测出过电流，在元件未被损坏之前，使其自动断开。
2）过电压保护。IGBT关断时，由于主回路电流的急剧变化，由主回路杂散电感引起高压，产生开关浪涌电压。可设置缓冲器抑制开关浪涌电压。过电压保护措施采用缓冲器电路。

第三章交—直—交变频技术
一、填空题
1、变频器分为交交变频和交—直—交变频。交—直—交变频技术根据变频电源的性质可分为电压型变频和电流型变频。
2、在电压型逆变器的直流侧并联有大电容，其作用是用来缓冲无功功率。由于电容的存在使直流输出电压具有电压源的特性，内阻很小。这使逆变器的交流输出电压被钳位为矩形波，与负载性质无关。交流输出电流的波形和相位由负载功率因数来决定。直流电路电感Ld起限流作用，电感量很小。
3、在电流型逆变器的直流侧串联有大电感，其作用是起限流的作用。逆变器的输出的交流电流为矩形波，与负载性质无关