模电1-常用半导体器件.ppt

模拟电子技术I.电子技术发展史I.电子技术发展史电子器件是按照“电子管——晶体管——集成电路”的顺序，逐步发展起来的。1.真空电子管的发明：自电子器件出现至今，电子技术已经应用到了社会的各个领域。II.电子技术的应用三.学习注意事项模拟电子技术知识框架图主要参考资料返回第一章常用半导体器件1.1半导体（Semiconductor）基本知识1.1.1本征半导体但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发），呈现导体的性质。但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发），呈现导体的性质。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。半导体内部存在两种载流子（可导
电的自由电荷）：电子（负电荷）、空
穴（正电荷）。1.1.2杂质半导体N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，电子属于多数载流子（简称多子），空穴属于少数载流子（简称少子）。n≥p
N型半导体主要靠电子导电。P型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子，空穴属于多数载流子（简称多子），电子属于少数载流子（简称少子）。p≥n
P型半导体主要靠空穴导电。杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子和等量的多数载流子。1.2半导体二极管（Diode）1.2.1PN结（PNJunction）一.PN结的形成二.PN结性质——单向导电性1.正向导通
PN结外加正向电压（正向偏置）——P接+、N接-，形成较大正向电流（正向电阻较小）。如3mA。1.2.2二极管二．二极管主要参数由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。1.3三极管（Transistor）1.3三极管（Transistor）1.3.3三极管内部载流子传输II1.3.4三极管各极电流关系1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线1.3.6三极管主要参数1.3.6三极管主要参数三极管的安全工作区1.4场效应管（FieldEffectTransistor）1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.2结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.2结型场效应管1.4.1结型场效应管1.4.1绝缘栅型场效应管1.4.1绝缘栅型场效应管二.增强型N沟道MOS管工作过程三.增强型N沟道MOS管特性曲线四.耗尽型N沟道MOS管工作过程四.耗尽型N沟道MOS管特性曲线各类场效应管偏置电压极性五.场效应管的主要参数小结