一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法.pdf
骊英****bb
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一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法.pdf
本发明公开了一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法,属于光电催化半导体材料领域,提供了一种在温和条件下简单并高效地制备无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极的方法,本发明的方法以可溶性硫代钼酸盐为反应原料,在氢氟酸溶液介质中通过与硅片表面简单的常温液相氧化还原作用,可控地在硅光电阴极上原位沉积无定形硫化钼,可简单地通过改变硫代钼酸盐的浓度和反应时间来控制无定形硫化钼薄膜的厚度,原料成本和制备效率均优于现有技术;所得无定形硫化钼与硅光电阴极具有紧密的界面结合作用,从而实现高效的光生电子传输。
一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法.pdf
本发明公开了一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法,属于光电催化半导体材料领域,制备工艺简单易操作,条件温和且可控,可简单地通过改变硫代钨酸盐的浓度和反应时间来控制,原料成本和制备效率均优于现有技术。本发明具体包括:以可溶性硫代钨酸盐的溶液为反应原料,并以氢氟酸溶液作为反应介质,在常温条件下,通过已被氟化刻蚀处理过的硅片表面在氢氟酸介质中与硫代钨酸根离子的氧化还原作用,原位沉积硫化钨纳米颗粒至硅片表面,制得具有均匀沉积的超薄硫化钨纳米颗粒薄膜的硅光电阴极。
一种硫化钼薄膜及其制备方法.pdf
本发明属于微纳制造相关技术领域,其公开了硫化钼薄膜及其制备方法,该方法包括以下步骤:(1)在基底上旋涂光刻胶并通过光刻来得到光刻胶图形;(2)采用镀膜工艺在该基底上沉积一层钼源薄膜,该钼源薄膜覆盖该光刻胶图形;(3)去除该基底上的光刻胶及覆盖该光刻胶的钼源薄膜以得到图形化钼源薄膜;(4)将该基底放入高温气氛炉内,并在该图形化钼源薄膜的上方放置衬底,同时该高温气氛炉逐渐升温,待该高温气氛炉内的温度达到钼源升华温度后向该高温气氛炉内通入硫源气体;接着,该高温气氛炉进一步加热到预定温度后保温预定时间,并将制得的
一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜.pdf
本申请适用半导体材料技术领域,提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜,包括:将硫源和钼源置于加热装置内,于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量,分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应,得二硫化钼薄膜;其中,硫源放置于刚玉舟内;钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片,并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜,能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入,能极大减小干扰因素,其良好的亲水性亦能极大
一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法.pdf
一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法,包括基片和抑制二次电子发射层;抑制二次电子发射层设置在基片上;抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层,若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜,首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜,二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯,通过层数调节的费米能级,且对于石墨烯的零带隙,二硫化钼薄膜具有带隙,其中二硫化钼具有直接带隙,介于二硫化钼的优点,以及其本身较低的二次电子发射系数,首次将磁控溅