基本放大电路课件.ppt

第二章半导体晶体管及其基本放大电路将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极。
1.2.1半导体二极管的结构和类型1、点接触型二极管2、面接触型二极管3、平面型二极管硅：0.5V
锗：0.1V2.1.3温度对二极管伏安特性的影响2.1.4半导体二极管的主要参数与型号（4）在规定的正向电流下，二极管的正向电压降称为正向压降，用UF表示。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。
（5）动态电阻rd：二极管在其工作点处的电压微变量与电流微变量之比，即(6)半导体二极管的型号分类3)整流二极管
在整流电路中，要选用整流二极管，一般为平面型硅二极管。在选用整流二极管时，主要应考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率以及反向恢复时间等参数。6)变容二极管
变容二极管是专门作为“压控可变电容器”的特殊二极管，它有很宽的容量变化范围，很高的Q值。变容二极管多用面接触型和平面型结构，它适用于电视机的电子调谐电路以及调频收音机的AFC电路。1.2.5半导体二极管的模型与应用(a)理想模型(b)恒压降模型(c)折线模型例：二、半导体二极管的应用2、限幅电路
解：
(1)当ui=0V时，二极管截止，所以uo=ui=0V。
当ui=6V时，二极管导通，所以uo=(2+0.7)V=2.7V。
(2)当ui＞(E+Uon)=2.7时，二极管导通，所以uo=2.7V。
当ui＜(E+Uon)=2.7时，二极管截止，二极管支路开路，所以uo=ui=5sinωtV3、开关电路
解：(1)当u1=0V、u2=3V时，D1为正向偏置，uo=0V，此时D2的阴极电位为3V，阳极电位为0V，处于反向偏置，因此D2截止。
(2)以此类推，可以得出其它三种不同组合以及输出电压的值，将其列于表中。如果把高于2.3V的电平当作高电平，并作为逻辑1，把低于0.7V的电平当作低电平，并作为逻辑0，则输入电压与输出电压的关系如图所示。
1.2.6特殊二极管2.稳压二极管的主要参数具有单向导电性，当有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，它的电特性与一般二极管类似。但是开启电压比普通二极管的大。三.光电二极管四.变容二极管2.2晶体三极管及其基本放大电路2.2.2晶体管的结构、类型与三种连接方式根据不同的参杂方式在同一硅片上制造出三个参杂区域，并形成两个PN结,就构成了晶体管,采用平面工艺制成的NPN型硅材料晶体管的结构如图所示。NPN型晶体管在电路中的三种基本联接方式2.2.2晶体管的工作状态及电流放大作用、伏安特性曲线1）、发射结加正向电压,扩散运动形成发射极电流IE
由于发射结加正向电压，有因为发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区，形成的电流为IEN。同时，空穴从基区向发射区扩散，形成电流IEP。扩散运动形成了发射极电流IE=IEN+IEP。由于集电极加反向电压且结面积较大，基区的非平衡少子在外电场作用下越过集电结到达集电区，形成漂移电流ICN。同时，集电区与基区的平衡少子也参与漂移运动，形成电流为ICBO。在集电极电源VCC的作用下，漂移运动形成集电极电流IC。4）、晶体管的电流分配关系5）、晶体管的共射电流放大系数二、晶体管的伏安特性曲线1、输入特性曲线iB=f(uBE)uCE=const2、输出特性曲线iC=f(uCE)iB=const输出特性曲线可以分为三个区域:

2.2.3晶体管的主要参数以及温度对晶体管参数的影响二.反向饱和电流三.极限参数晶体管的某一电极开路时,另外的两个电极所允许加的最高反
向电压即为极间反向击穿电压.
3、集电极最大允许功率损耗PCM集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PC=ICUCE四.温度对晶体管特性及参数的影响ICBO是晶体管集电结的反向饱和电流，它主要取决于少子的浓度。当温度升高，热运动加剧，会有更多的价电子挣脱共价键的束缚，成为自由电子参与导电，这会使少子浓度明显增大。ICBO随温度变化的规律是温度每升高10℃，ICBO约增大一倍。2.2.4晶体管的型号与选用原则2、开关晶体管3、音频功率放大互补对管5、光敏晶体管半导体三极管的型号2.3.1放大的基本概念与放大电路的主要性能指标二、放大电路的主要性能指标1.放大倍数2.输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻3.输出电阻Ro——任何放大电路的输出都可以等效成一个有内阻的电压源，从放大电路输出端看进去的等效电阻4.最大输出幅度6.通频带7、最大输出功率与效率2.3.2共发射极放大电路的组成及工作原理一、基本共射放大电路的组成集电极电阻RC，将变化的电流转变为变化的电压。二、工作原理由于(IB,UBE)和(IC,UCE)分