退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响.pdf

第6%卷第%期真空科学与技术
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退火对反应磁控溅射制备!"#薄膜性能影响

许旻!邱家稳贺德衍
（兰州大学物理科学技术学院兰州$%&&&&）
（兰州物理所兰州$%&&&&）

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摘要采用铟锡合金靶（铟E锡，G&L4&），通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出!"#薄膜，并在大气环境下高温退
火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提
高。
关键词!"#透明导电薄膜光学特性电学特性
中图分类号：#MNM5M文献标识码：O文章编号：&6P%EG$M（N6&&%）&%E&4Q4E&M

在可见光波段铟锡氧化物膜（!"#）具有高透射用直流反应磁控溅射方法制备金属态薄膜，再在大
率以及良好的导电性，已在航空、航天、电子等领域气环境下对合金薄膜进行氧化退火处理（4&&UR
得到广泛应用。如用于卫星的空间防静电、玻璃除M&&U），对薄膜的结构、光学和电学性能进行了研
霜、制造液晶显示器的透明电极等［4R%］。究。
高性能的!"#薄膜有多种制备方法，如电子束
［］［］［］［］
蒸发法MRP、热蒸发法Q、ST2$RN、激光烧融G，直9实验过程
流磁控溅射［4&R4M］和射频溅射方法［4PR4G］等。在这在室温下用直流反应磁控溅射在石英玻璃基底
些沉积方法中，反应溅射法已被广泛用于制备!"#上沉积!"#薄膜。实验装置如图4所示，由真空抽
薄膜。它具有沉积速率高、薄膜厚度易控和合金靶气系统，薄膜沉积室、溅射源和反应气体流量控制系
容易加工等优势。通常，为提高薄膜的导电性能，对统组成。薄膜制备工艺参数如表4。
合金靶制备的薄膜需在大气或有氧环境中退火处薄膜的厚度测量仪器T00C8公司20V@.VN。电
理。阻率测量仪器FWLN6F数字式四探针，透射谱测量
本实验中，采用铟锡合金靶（铟—锡，G&—4&），仪器使用X0?V*+K=:0?公司Y.:B7.ZTET!FE[!\分光

收稿日期：6&&6E&GE6P
!联系人：在职博士，KE:.*=：:;(&6]>@H=^(H07(HC+
,HD真空科学与技术第,F卷

光谱仪。!射线衍射（!"#）测量用"$%&’(#)*&+—不同发现，#&\$M用直流磁控溅射法得到非晶薄膜，
［］
,-..型!射线衍射仪进行，入射!射线为/(!!/S$9(等用射频溅射得到任意取向的薄膜DE。这些
线，阳极电压和电流分别为-.’0和-.*1。原子力不同的结果表明，QKR薄膜结构的取向不仅依赖制
显微镜（123）用4506783/9*:&;<=&>进行。!87备方法，而且与制备的工艺参数有很大的关系。
分析设备为?7/1=1@,..A!!=。透镜模式为
=&B%C1BC&!=；射线源为3%!!（D,EFGHC0）IF..J；
通道能为F.C0；扫描步长为.GDC0。

表!薄膜制备工艺参数
K&>LD#C:9M$<$9N;9NO$<$9NM9PQKR<S$NP$T*
镀膜室本底真空度0&;((*9P;S&*>CBFUD.A,8&
工作压力8BCMM(BC.GF8&

溅射电压09T<&%C9PM:(<<CB