IGBT保护电路设计.doc
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关于IGBT保护电路设计必知问题绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTramistor,IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件,因此,它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点,又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点.是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能,所以合理的驱动电路对整机显得很重要,但是如果控制不当,它很容易损坏,其中一
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IGBT驱动电路设计IGBT驱动电路设计IGBT驱动电路设计一种IGBT驱动电路的设计IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的.IGBT具有复杂的集成结构,它的工作频率可以远高于双极晶体管.IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10~100kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用.IGBT进一步简化了功率器件的驱动电路和减小驱动功率。1IGBT的工作特性.IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极施以正电压时,MOSFET内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,从而使IGBT导通。此时从N+区
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