过渡金属二硫属化物原子层带和纳米带的水分调控生长方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113526555A(43)申请公布日2021.10.22(21)申请号202110398305.2B82Y30/00(2011.01)(22)申请日2021.04.14B82Y40/00(2011.01)(30)优先权数据63/011,0752020.04.16US16/912,0772020.06.25US17/148,1292021.01.13US(71)申请人本田技研工业株式会社地址日本东京都(72)发明人A·R·哈鲁特云严李煦凡(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人刘迎春邢锦晖(51)Int.Cl.C01G39/06(2006.01)C01G53/00(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图23页(54)发明名称过渡金属二硫属化物原子层带和纳米带的水分调控生长方法(57)摘要一种原子层纳米带的制作方法，包括：形成双原子层带，该双原子层带具有第一单层和位于所述第一单层的表面上的第二单层，其中，第一单层和第二单层分别包含过渡金属二硫属化物材料；氧化第一单层的至少一部分以提供氧化部分；以及去除氧化部分以提供过渡金属二硫属化物材料的原子层纳米带。还提供了根据上述方法制备的双原子层带、双原子层纳米带和单原子层纳米带。CN113526555ACN113526555A权利要求书1/2页1.一种原子层纳米带的制作方法，所述方法包括：形成双原子层带，所述双原子层带包括第一单层和位于所述第一单层的表面上的第二单层，其中，形成所述双原子层带包括在足以通过化学气相沉积将所述双原子层带沉积在基底上的温度下，使两种或更多种前体粉末经受润湿气体流，并且其中，所述第一单层和所述第二单层分别包含过渡金属二硫属化物材料；氧化所述第一单层的至少一部分以提供氧化部分；以及去除所述氧化部分以提供包含所述过渡金属二硫属化物材料的原子层纳米带。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述两种或更多种前体粉末包含金属氧化物粉末和硫属元素粉末。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述两种或更多种前体粉末还包含金属粉末和盐粉末。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属氧化物粉末包含二氧化钼，并且所述硫属元素粉末包含硫。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属粉末包含镍、铁或其组合。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的氧化所述第一单层的所述一部分包括使所述双原子层带经受UV‑臭氧处理。7.根据权利要求1所述的方法，还包括氧化所述第二单层的至少一部分，其中，所述氧化部分包括所述第一单层的所述一部分和所述第二单层的所述一部分。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的去除所述氧化部分包括蚀刻处理，所述蚀刻处理包括使所述氧化部分经受蚀刻剂。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述润湿气体流具有约100‑3000ppm之间的水分含量。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述润湿气体流通过下述方式提供：使第一惰性气体流经包含DI水的鼓泡器以提供第一润湿惰性气体，并且将所述第一润湿惰性气体与第二惰性气体流组合。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一惰性气体流和/或所述第二惰性气体流已经经过处理以减少杂质水分。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一单层具有第一平均宽度，并且所述第二单层具有小于所述第一平均宽度的第二平均宽度。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一平均宽度在约0.1‑约100μm之间。14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二平均宽度在约5‑100nm之间。15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二单层以含金属的纳米颗粒终止。16.一种双原子层带，包括第一单层和位于所述第一单层的表面上的第二单层，其中，所述双原子层带通过下述方式形成：在足以通过化学气相沉积将所述双原子层带沉积在基底上的温度下，使两种或更多种前体粉末经受润湿气体流，其中，所述第一单层具有第一平均宽度，并且所述第二单层具有小于所述第一平均宽度的第二平均宽度，并且其中，所述第一单层和所述第二单层分别包含过渡金属二硫属化物材料。2CN113526555A权利要求书2/2页17.根据权利要求16所述的双原子层带，其中，所述第一平均宽度在约0.1‑约100μm之间。18.根据权利要求16所述的双原子层带，其中，所述第二平均宽度在约5‑100nm之间。19.根据权利要求16所述的双原子层带，其中，所述第二单层以含金属的纳米颗粒终止。20.根据权利要求16所述的双原子层带，其中，所述过渡金属二硫属化物材料包含二硫化钼。3CN113526555A说明书1/10页过渡金属二硫属化物原子层带和纳米带的水分调控生长方法[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请是2020