一种厚膜片式电阻器及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113690003A(43)申请公布日2021.11.23(21)申请号202110782910.X(22)申请日2021.07.12(71)申请人华南理工大学地址510641广东省广州市天河区五山路381号(72)发明人凌志远廖云鹏(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205代理人郑宏谋(51)Int.Cl.H01C1/142(2006.01)H01C7/00(2006.01)H01C17/28(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种厚膜片式电阻器及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种厚膜片式电阻器及其制造方法，其中厚膜片式电阻器包括：氧化铝基片；正面小电极，设置在氧化铝基片的第一表面的两侧；背面电极，设置在氧化铝基片的第二表面的两侧；电阻体层，设置在氧化铝基片的第一表面上；一次保护层，设置在电阻体层上；正面大电极，设置在正面小电极上，且覆盖正面小电极；二次保护层，设置在一次保护层上；端电极层，设置在正面大电极和背面电极上；电镀镍层，设置在端电极层上；电镀锡层，设置在电镀镍层上。本发明通过引入正面大电极，对电阻表面进行包覆，避免点、线缺陷出现，阻止电阻体层与正面电极交界处银电极层出现硫化，提高厚膜片式电阻器的可靠性，可广泛应用于电子材料与元器件领域。CN113690003ACN113690003A权利要求书1/2页1.一种厚膜片式电阻器，其特征在于，包括：氧化铝基片；正面小电极，设置在所述氧化铝基片的第一表面的两侧；背面电极，设置在所述氧化铝基片的第二表面的两侧；电阻体层，设置在所述氧化铝基片的第一表面上，且部分所述电阻体层压接在所述正面小电极上；一次保护层，设置在所述电阻体层上；正面大电极，设置在所述正面小电极上，且覆盖所述正面小电极；二次保护层，设置在所述一次保护层上，且覆盖所述一次保护层；端电极层，设置在所述正面大电极和所述背面电极上；电镀镍层，设置在所述端电极层上；电镀锡层，设置在所述电镀镍层上。2.根据权利要求1所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述正面小电极、所述背面电极、所述电阻体层、所述一次保护层、所述正面大电极和所述二次保护层均采用丝网印刷工艺获得。3.根据权利要求1所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述正面大电极采用高银固含量低温银浆丝网印制获得，且烧结温度为450～550℃，烧成后厚度为5～10μm。4.根据权利要求3所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述高银固含量低温银浆由60～80份球形银粉、3～6份无铅玻璃粉、10～20份有机溶剂、1～5份纤维素和0.1～3份添加剂组成。5.根据权利要求4所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述球形银粉由D50为300～1μm细银粉和D50为2～5μm粗银粉组成，细银粉和粗银粉重量比为1～2:1；所述无铅玻璃粉为低熔点非析晶玻璃粉，熔点为600～700℃。6.根据权利要求1所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述一次保护层采用低温玻璃浆料丝网印制获得；所述二次保护层采用环氧树脂胶丝网印制获得。7.根据权利要求1所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述一次保护层的长度小于所述电阻体层的长度，且所述一次保护层的宽度方向大于所述电阻体层宽度，且两侧等宽度与所述氧化铝基片结合。8.根据权利要求1所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述正面大电极完全覆盖所述正面小电极，且部分覆盖所述正面小电极和部分所述电阻体层。9.根据权利要求1所述的一种厚膜片式电阻器，其特征在于，所述二次保护层完全覆盖所述一次保护层，且部分覆盖正面大电极。10.一种厚膜片式电阻器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在氧化铝基片两面的两侧印制一对正面小电极和一对背面电极；在所述正面小电极面上印制电阻体层，所述电阻体层中间部分与所述氧化铝基片结合，所述电阻体层的两端部分覆盖于所述正面小电极之上；在所述电阻体层上印制一次保护层；在所述正面小电极上印制正面大电极，且所述正面大电极覆盖所述正面小电极；2CN113690003A权利要求书2/2页在所述一次保护层上印制二次保护层，且所述二次保护层覆盖所述一次保护层；在所述正面大电极和所述背面电极上设置端电极层；在所述端电极层上设置电镀镍层，在所述电镀镍层上设置电镀锡层。3CN113690003A说明书1/5页一种厚膜片式电阻器及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及电子材料与元器件领域，尤其涉及一种厚膜片式电阻器及其制造方法。背景技术[0002]随着电子信息产业的迅猛发展，各种电子产品得到大量使用。然而，工业的发展在改善人们日常生活的同时，也带来了环境污染，污染源浓度的不断提升危害着电子产品安全，不同程度地降低了电子产