发光装置及包括所述发光装置的电子设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113838988A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202110658571.4(22)申请日2021.06.15(30)优先权数据10-2020-00767592020.06.23KR(71)申请人三星显示有限公司地址韩国京畿道(72)发明人康南洙朴旻虎李东奎李锺源李炫植(74)专利代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204代理人王达佐洪欣(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/52(2006.01)H01L51/54(2006.01)权利要求书3页说明书58页附图2页(54)发明名称发光装置及包括所述发光装置的电子设备(57)摘要本申请涉及发光装置，包括：第一电极；第二电极；在第一电极与第二电极之间的m个发射单元；以及m‑1个电荷产生层，所述m‑1个电荷产生层各自位于两个相邻的发射单元之间，并且包括m‑1个n‑型电荷产生层和m‑1个p‑型电荷产生层。所述m个发射单元各自包括空穴传输区、发射层和电子传输区。在最靠近第一电极的第一发射单元中的第一空穴传输区可以包括空穴转移层以及空穴注入层和/或空穴传输层。空穴转移层可以是由包含氧化膦基团(P＝O)、硫化膦基团(P＝S)、含缺π电子的氮的C1‑C60环状基团或其任意组合的电子传输化合物组成的单个层。空穴转移层的最高占据分子轨道能级可以是约‑6.0eV至约‑5.3eV。CN113838988ACN113838988A权利要求书1/3页1.发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；位于所述第一电极与所述第二电极之间的m个发射单元；以及m‑1个电荷产生层，所述m‑1个电荷产生层各自位于所述m个发射单元中的两个相邻的发射单元之间，并且包括m‑1个n‑型电荷产生层和m‑1个p‑型电荷产生层，其中m是2或大于2的整数，所述m个发射单元各自包括依次布置的空穴传输区、发射层和电子传输区，在所述m个发射单元中最靠近所述第一电极的第一发射单元中的第一空穴传输区包括依次布置在所述第一电极与所述第一发射单元中的第一发射层之间的空穴转移层以及空穴注入层和空穴传输层中的至少一个，所述空穴转移层是由电子传输化合物组成的单个层，所述电子传输化合物包含P＝O、P＝S、含缺π电子的氮的C1‑C60环状基团或其任意组合，以及所述空穴转移层的最高占据分子轨道能级是‑6.0eV至‑5.3eV。2.如权利要求1所述的发光装置，其中m是3或大于3的整数。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输化合物由式1或式2表示：式1[Ar1]a1‑[(L1)b1‑R1]c1式2[Ar2]a2‑[(L2)b2‑R2]c2，以及其中，在式1和式2中，Ar1、Ar2、L1和L2各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3‑C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1‑C60杂环基团，a1和a2各自独立地是1、2或3，b1和b2各自独立地是0、1、2、3、4或5，R1和R2各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3‑C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1‑C60杂环基团、‑Si(Q1)(Q2)(Q3)、‑C(＝O)(Q1)、‑S(＝O)2(Q1)、‑P(＝O)(Q1)(Q2)或‑P(＝S)(Q1)(Q2)，c1和c2各自独立地是1、2、3、4或5，Ar1、L1和R1中的至少一个独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的含缺π电子的氮的C1‑C60环状基团，以及至少一个R2基团是‑P(＝O)(Q1)(Q2)或‑P(＝S)(Q1)(Q2)，其中R10a是：氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑C60碳环基团、C1‑C60杂环基团、C6‑C60芳氧基基团、C6‑C60芳硫基基团、‑Si(Q11)(Q12)(Q13)、‑N(Q11)(Q12)、‑B(Q11)(Q12)、‑C(＝O)(Q11)、‑S(＝O)2(Q11)、‑P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代的C1‑C60烷基基团、C2‑C60烯基基团、C2‑C60炔基基团或C1‑C60烷氧基基团；2CN113838988A权利要求书2/3页各自未取代的或者被氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑C60烷基基团、C2‑C60烯基基团、C2‑C60炔基基团、C1‑C60烷氧基基团、C3‑C60碳环基团、C1‑C60杂环基团、C6‑C60芳氧基基团、C6‑C60芳硫基基团、‑Si(Q21)(Q22)(Q23)、‑N(Q21)(Q22)、‑B(Q21)(Q22)、