钝化膜的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113840941A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202080036949.0(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所(22)申请日2020.11.2411247代理人段承恩杨光军(30)优先权数据2019-2273812019.12.17JP(51)Int.Cl.C23C8/28(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/02(2006.01)2021.11.18(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0436742020.11.24(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/124810JA2021.06.24(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人谷本阳祐权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称钝化膜的制造方法(57)摘要提供一种钝化膜的制造方法，其能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。采用具备钝化工序的方法制造钝化膜，在该钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，该含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物。钝化气体中的含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。CN113840941ACN113840941A权利要求书1/1页1.一种钝化膜的制造方法，具备钝化工序，在所述钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在所述基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，所述含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物，所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。2.根据权利要求1所述的钝化膜的制造方法，所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.5摩尔ppm以上且65摩尔ppm以下。3.根据权利要求1或2所述的钝化膜的制造方法，所述含氧化合物是氧气和水中的至少一者。4.根据权利要求1～3中任一项所述的钝化膜的制造方法，所述基板在表面具有含有锗和钼中的至少一者的膜。5.根据权利要求1～4中任一项所述的钝化膜的制造方法，在温度为20℃以上且1500℃以下、压力为1Pa以上且101kPa以下的条件下，利用所述钝化气体对所述基板进行处理。2CN113840941A说明书1/5页钝化膜的制造方法技术领域[0001]本发明涉及钝化膜的制造方法。背景技术[0002]近年来，在半导体领域中，含有除硅(Si)以外的元素的半导体材料受到关注。作为含有除硅以外的元素的半导体材料，例如可举出含有锗(Ge)、铟镓砷(InGaAs)等III‑V族元素的半导体材料，含有硫化钼(IV)(MoS2)等金属硫属化物的半导体材料。[0003]这些半导体材料，虽然具有与硅材料相比机动性(迁移率)高的优点，但存在难以成膜的情况、或由于材料间的界面的缺陷密度高而导致机动性降低的情况。[0004]因此，为了降低材料间的界面的缺陷密度，提出了在锗、钼等基板上使用硫化氢(H2S)气体形成钝化膜的方法(例如参照专利文献1)。另外，作为金属硫属化物的成膜方法，提出了利用硫化氢气体对钼氧化物层、钨氧化物层进行处理而形成硫化钼层、硫化钨层的方法(例如参照专利文献2)。[0005]在先技术文献[0006]专利文献1：日本特许公开公报2016年第207789号[0007]专利文献2：日本特许公开公报2017年第61743号发明内容[0008]发明要解决的课题[0009]但是，根据硫化氢气体的品质，有时会出现钝化膜所含有的氧原子的浓度变高、钝化膜的性能降低的情况。[0010]本发明的课题在于提供一种钝化膜的制造方法，其能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。[0011]用于解决课题的手段[0012]为解决上述课题，本发明的一个技术方案如以下的[1]～[5]。[0013][1]一种钝化膜的制造方法，具备钝化工序，[0014]在所述钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在所述基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，所述含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物，[0015]所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。[0016][2]根据[1]记载的钝化膜的制造方法，所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.5摩尔ppm以上且65摩尔ppm以下。[0017][3]根据[1]或[2]记载的钝化膜的制造方法，所述含氧化合物是氧气和水中的至少一者。[0018][4]根据[1]～[3]中任一项记载的钝化膜的制造方法，所述基板在表面具有含有3CN113840941