第5章 微机原理与接口技术.ppt

微机原理、汇编与接口技术5.1.1存储器的类型5.1.1存储器的类型5.1.2存储器的性能指标与分级结构5.1.2存储器的性能指标与分级结构5.1.2存储器的性能指标与分级结构5.1.2存储器的性能指标与分级结构半导体存储器存储器芯片的特征存储器芯片的特征存储器芯片的特征（续）存储芯片结构与译码方式5.2常用的存储器芯片1.EPROM
常用EPROM以1片2716(2K×8)为最基本容量.如：2732→4K×8，2764→8K×8，27128→16K×8，27256→32K×82.EEPROM
常用芯片有2816(2K×8)、2817(2K×8)和2864(8K×8).
2816和2864的引线排列与同容量的6116和6264兼容，
2817和2864A的引线排列如图所示：CE→芯片允许信号
WE→写允许信号
OE→输出允许信号
RDY/BUSY→擦写状态信号线.擦除和写入时，置为高电平；写入完成，置为低电平
2816、2817和2864的主要性能指标：读取时间250ns、写入时间10ns(2816为15ns)、字节擦除时间10ns（2816为15ns）、读操作电压5V、擦写操作电压5V、操作电流110mA3.闪速存储器
闪速存储器与一般EEPROM不同之处在于，闪速存储器芯片为整体电擦除并需要为其提供12V编程电压.但它的擦除和编程速度高、集成度高、可靠性高、功耗低、价格低，其整体性能优于一般EEPROMSRAM芯片
SRAMsusedforcaches(haveaccesstimesaslowas10ns).
Generally,SRAMsarelimitedinsize.
6116：2K×8位
6164：8K×8位

DRAM芯片
DRAMsareavailableinmuchlargersizes.
Intel2164：64K×1位
Intel4116：16K×1位2.动态RAM和内存条
(1)动态RAM
常用芯片有64K×1、64K×4、1M×1、1M×4等。
2164A芯片的引线和功能如下图所示。4个128×128的存储矩阵、128选1行译码器、128选1列译码器、行地址锁存器、列地址锁存器、“4选1”I/O控制门和多路开关(2)内存条
对于32位、64位微机来说，单片的存储芯片空间太小，须把多个芯片组装成存储器模块。

内存条是一块焊接了多片存储器并带接口引脚的小型印刷电路板，将其插入主板上的存储器插槽中即可。
3.非易失性随机存储器NVRAM(nonvolatileRAM)
特点：断电后信息不丢失。
电池式NVRAM：备用电池在外接电源断开或下降至3V时自动接入电路继续供电，以免信息丢失。
形影式NVRAM：由SRAM和EEPROM组成。EEPROM中的信息必须调出后存放到SRAM中才能与CPU交换信息。在外接电源断开或发生故障时，它可以立即把SRAM中的信息保存到EEPROM中，使信息得到自动保护。在CPU对存储器进行读/写操作时，首先要由地址总线给出地址，然后要发出相应的读/写控制信号，最后才能在数据总线上进行信息交换.
所以，存储器和CPU的连接，有三个部分：
（1）地址线的连接；
（2）数据线的连接；
（3）控制线的连接。内存芯片与CPU连接的基本方法1.存储器芯片的地址线与地址总线的连接
原则是，从地址总线的最低位A0开始，把它们与存储器芯片的地址线依次相连2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接74LS138内部逻辑电路例5.1用译码法连接容量为64K×8的存储器，若用8K×8的存储器芯片，共需多少片？
共需多少根地址线？其中几根作字选线？几根作片选线？试用74LS138画出译码电路，并标出其输出线的选址范围.
若改用线选法能够组成多大容量的存储器？试写出各线选线的选址范围64K×8/8K×8=8,即共需要8片存储器芯片
64K=65536=216，故组成64K的存储器共需16根地址线
8K=8192=213，即13根作字选线，选择片内单元
16-13=3，即3根作片选线
芯片的13根地址线为A12～A0，余下的高位地址线是A15～A13，所以译码电路
对A15～A13进行译码，译
码电路及译码输出线的
选址范围如图所示若改为线选法：
A15～A133根地址线各选一片8K×8的存储器芯片，故仅能组成容量为24K×8的存储器
A15、A14和A13所选芯片的地址范围分别为：
6000H～7FFFH、A000H～BFFFH和C000H～DFFFH用1024×1位存储器芯片组成的1KRAM