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LED照明应用技术
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LED照明应用技术

内容简介

《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理，并对面临的问题与挑战进行了讨论；接着详述了LED制造中的
几个关键问题，包括衬底、外延、工艺和封装；随后论述了LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高；最后对OL
ED（即有机LED）技术进行了介绍。《LED照明应用技术》可供LED制造业从业人员和相关专业人员阅读，还可作为
材料物理、材料化学等专业教师和学生的参考书。

目录

译者序

原书序

前言

第1章LED：原理与挑战

1.1光源领域的革新历史

1.2LED和照明

1.3LED的工作原理、颜色、效率、寿命和质量

1.3.1LED发出白光：原理与挑战

1.3.2寿命

1.3.3LED的品质

1.4LED面临的挑战

1.5参考文献

第2章III族氮化物电致发光二极管的衬底

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2.1简介

2.2晶体结构及其与6H-SiC和Al2O3的外延关系

2.3异质外延的缺点和约束

2.3.1位错

2.3.2衬底的解取向

2.3.3外延应力

2.3.4热应力

2.4GaN在蓝宝石上的MOVPE生长

2.4.1GaN生长

2.4.2标准2D外延

2.4.33D外延生长

2.4.4外延的横向过生长（ELO1S）

2.4.5各向异性生长

2.4.6两级ELOGaN生长（ELO2S）

2.4.7使用悬空外延技术的GaN生长

2.4.8纳米外延

2.5大块氮化物衬底

2.5.1制造结晶GaN的HNPS（高氮压溶液法）

2.5.2GaN的氨热合成

2.5.3GaN的卤化物气相外延（HVPE）

2.6结论

2.7参考文献

第3章III族氮化物高亮度LED

3.1简介

3.2GaN的pn结

3.3有源区：InGaN/GaN量子阱

3.3.1生长和结构

3.3.2光学性质

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3.4辐射效率

3.5结论与展望

3.6参考文献

第4章二极管工艺设计

4.1简介

4.2数量级

4.3二极管结构

4.3.1常规芯片（CC）

4.3.2倒装芯片（FC）

4.3.3垂直薄膜（VTF）

4.3.4薄膜倒装芯片（TFFC）

4.4晶片级光提取

4.5二极管工艺设计、蚀刻、接触沉积

4.5.1n型接触

4.5.2p型接触

4.6蚀刻

4.7移除衬底

4.8发展趋势

4.9参考文献

第5章封装

5.1简介

5.2各种封装工艺

5.2.1历史背景

5.2.2从晶片到芯片

5.2.3带连接引脚的器件

5.2.4SMT有引脚器件

5.2.5SMT无引脚器件

5.2.6其他技术

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5.2.7小结

5.3热管理

5.3.1目的

5.3.2散热方式

5.3.3LED内的散热

5.3.4各种封装工艺的比较

5.3.5小结

5.4LED的光提取

5.4.1LED的横向光提取

5.4.2利用透镜实现垂直光提取

5.4.3透镜和密封材料

5.4.4透镜和密封的实现

5.5LED器件的特性

5.5.1热和电气特性

5.5.2光学特性

5.5.3筛选

5.5.4可靠性

5.6结论与展望

5.7附录

5.8参考文献

第6章电致发光二极管的光电特性

6.1LED的光度测定

6.1.1基本知识概述

6.1.2常用参数

6.1.3光度计/辐射计应具备的性能

6.1.4发光强度的测量

6.1.5光通量的测量

6.1.6光谱测量

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6.2LED的电气特性

6.2.1正向电压

6.2.2温度效应

6.2.3光度测量用LED的工作条件

6.2.4规范化的立场

6.3参考文献

第7章LED的白光品质

7.1简介：白光和视觉品质

7.1.1白光

7.1.2与光品质有关的几个想法

7.1.3人类视觉功能：感受器、视网膜、大脑

7.1.4本章内容

7.2比色法和测光法的概念

7.2.1比色法

7.2.2光度值

7.3用LED获得白光

7.3.1基于短波长发射的白光二极管

7.3