基于赛米控半桥模块的IGBT并联技术-豆柴文库

基于赛米控半桥模块的IGBT并联技术.pdf

2024-08-13

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IGBTinParallel HighPowerwithGB-modules 北京维智电通科技有限公司培训资料 750kWinverterwithIGBTinparalell 北京维智电通科技有限公司培训资料02.07.20142 北京维智电通科技有限公司培训资料02.07.20143 Worstcase:Allcontactsshorted DifferentIGBTmoduleswithdifferent Switchingspeedstonandtoff GatethresholdvoltagesVGE(th) GatechargecharacteristicVGE=f(QG)and„MillerCapacity“Cres TransfercharacteristicIC=f(VGE) C G AEVGEVGEVGEE Duetohardconnectedgates,allIGBTsmusthavethesameVGE Thismeans:allIGBTsdonotswitchindependentlyfromeachother 北京维智电通科技有限公司培训资料02.07.20144 HardConnectedGatewithCommonResistor HardconnectedGates AllIGBTshavedifferentgatethresholdvoltagesVGE(th) IGBT1,withthelowestVGE(th)turnsonfirst. ThegatevoltageisclampedtotheMiller-Plateau.Therefore IGBT’swithhigherVGE(th)cannotturnon.Theyturnononlyafter t1. TheIGBT1withlowVGE(th)takesallthecurrentandswitching lossesduringturnon. OngoingprocessbynegativethermalcoefficientofVGE(th) VGE VGE VVGEGE(th(th)) t t11t1nt t1 北京维智电通科技有限公司培训资料02.07.20145 IntroductionofGateResistors Separatedbygateresistors ThegatevoltageofeachIGBTcanriseindependentfrom theotherone. Note:Thegateresistorsmustbetolerated<1% C G VGE1VGE2VGEn AEE WithindividualgateresistorsallIGBTsareindependentfromeachother 北京维智电通科技有限公司培训资料02.07.20146 IntroductionofGateResistors Separatedbygateresistors AllIGBTsstillhavedifferentgatethresholdvoltages VGE(th) But:ThegatevoltageofeachIGBTcanriseindependently fromtheotherones. TheMiller-Plateauwillbereachedafterashorttimet1. Onlysmalldifferencesincurrentsharingandswitching lossesbetweenparalleledIGBTs. VGE VGEth t t1 t2 北京维智电通科技有限公司培训资料02.07.20147 Worstcase:Allcontactsshorted Takingstrayinductancesintoregard Duetohardconnectedgatesandvaryingtransfercharacteristics, allIGBTshavedifferentswitchingtimesandspeeds;dix/dtvariesin eachleg Thecircuitalsohasdifferentstrayinductances;Lx Therewithvx=Lxxdix/dtvariesineachleg(e.g.:1000A/µsx10nH =10V) Nearlyunlimitedequalisingcurrentsiflowalsoviathethin connectin

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