标准工艺——三层多晶硅的表面牺牲层工艺设计手册.doc

三层多晶硅表面牺牲层标准工艺
流程介绍及设计规则
TPSMPprocessoverviewanddesignrules（Three-layerPolysiliconSurfaceMicromachiningProcess）
北京市颐和园路5号
北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室
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目录
1 TOC\o"1-3"\h\z\uHYPERLINK\l"_Toc105844202"文件信息 PAGEREF_Toc105844202\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844203"1.1 标准工艺名称 PAGEREF_Toc105844203\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844204"1.2 文件版本 PAGEREF_Toc105844204\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844205"1.3 文件范围 PAGEREF_Toc105844205\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844206"1.4 文件目标 PAGEREF_Toc105844206\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844207"1.5 内容 PAGEREF_Toc105844207\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844208"1.6 订定依据 PAGEREF_Toc105844208\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844209"1.7 其他 PAGEREF_Toc105844209\h1
HYPERLINK\l"_Toc105844210"2 设计规则内容 PAGEREF_Toc105844210\h3
HYPERLINK\l"_Toc105844211"2.1 各层薄膜材料 PAGEREF_Toc105844211\h3
HYPERLINK\l"_Toc105844212"2.2 工艺流程说明 PAGEREF_Toc105844212\h4
HYPERLINK\l"_Toc105844213"2.3 版图设计规则 PAGEREF_Toc105844213\h14
HYPERLINK\l"_Toc105844214"2.3.1 定义图层名称 PAGEREF_Toc105844214\h14
HYPERLINK\l"_Toc105844215"2.3.2 规则分类说明 PAGEREF_Toc105844215\h14
HYPERLINK\l"_Toc105844216"2.3.3 各图层最小线宽、最小间距及最大间距等 PAGEREF_Toc105844216\h15
HYPERLINK\l"_Toc105844217"2.3.4 各图层之间的相互关系的规则 PAGEREF_Toc105844217\h16
HYPERLINK\l"_Toc105844218"3 其他事项 PAGEREF_Toc105844218\h18
HYPERLINK\l"_Toc105844219"3.1 其他版图设计注意事项 PAGEREF_Toc105844219\h18
HYPERLINK\l"_Toc105844220"3.2 制版相关事宜 PAGEREF_Toc105844220\h18
HYPERLINK\l"_Toc105844221"3.3 材料特征 PAGEREF_Toc105844221\h18
HYPERLINK\l"_Toc105844222"3.4 其他 PAGEREF_Toc105844222\h18
HYPERLINK\l"_Toc105844223"参考文献 PAGEREF_Toc105844223\h19


北京大学微电子所MEMS国家重点实验室
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文件信息
标准工艺名称
三层多晶硅表面牺牲层工艺，TPSMP（Three－layerPolysiliconSurfaceMicromachiningProcess）。
文件版本
α版
文件范围
本文件仅适用于北京大学微电子所MEMS国家重点实验室的三层多晶硅表面牺牲层工艺。
文件目标
为将北大微纳加工国家重点实验室建成一个开放的加工平台的对外开放，根据本实验室的工艺加工能力及表面牺牲层工艺之特点，编定出该文件，供以本实验为加工平台的客户在进行工艺设计时参考。
内容
客户从该