用于组织治疗的系统和方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113543737A(43)申请公布日2021.10.22(21)申请号201880100726.9(51)Int.Cl.(22)申请日2018.12.31A61B18/02(2006.01)A61B18/20(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日A61N5/067(2006.01)2021.08.27(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2018/0681922018.12.31(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/142083EN2020.07.09(71)申请人阿瓦瓦公司地址美国马萨诸塞州(72)发明人C·H·德雷瑟J·巴瓦尔卡J·廷(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人赵林琳郑振权利要求书4页说明书16页附图12页(54)发明名称用于组织治疗的系统和方法(57)摘要一种冷却元件包括框架，所述框架包括一个或多个基准。所述冷却元件还包括第一窗口，所述第一窗口包括第一近侧表面和第一远侧表面。所述第一窗口被密封至所述框架。所述冷却元件进一步包括被密封至所述框架的第二窗口。所述第二窗口包括第二近侧表面和第二远侧表面。所述第二窗口被配置为经由所述第二远侧表面接触目标组织或者邻近所述目标组织的组织。所述冷却元件还包括冷却剂腔，所述冷却剂腔位于所述第一窗口的所述第一远侧表面和所述第二窗口的第二近侧表面之间并且被配置为接收冷却剂。所述第一窗口、所述第二窗口和所述冷却剂腔被配置为接收电辐射(EMR)，并且将所接收EMR的一部分传送至所述目标组织。CN113543737ACN113543737A权利要求书1/4页1.一种系统，包括：光学元件，其被配置为接收电磁辐射EMR，并且将所述EMR沿光轴聚焦到目标组织中的聚焦区域；冷却元件，其处于所述光学元件下游并且被配置为接收聚焦的所述EMR，所述冷却元件包括：第一窗口，其包括第一近侧表面和第一远侧表面；处于所述第一窗口下游的第二窗口，所述第二窗口包括第二近侧表面和第二远侧表面，其中所述第二窗口被配置为经由所述第二远侧表面接触所述目标组织或者邻近所述目标组织的组织；冷却剂腔，其位于所述第一窗口的所述第一远侧表面和所述第二窗口的所述第二近侧表面之间，并且被配置为接收冷却剂；和控制器，其被配置为沿第一扫描路径引导所述光学元件，其中所述光学元件沿所述第一扫描路径的运动被配置为使得所述聚焦区域在所述目标组织中沿治疗路径穿行。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为通过改变所述光学元件和所述第二窗口的所述第二远侧表面之间沿所述光轴的第二距离，而改变所述聚焦区域和所述第二窗口的所述第二远侧表面之间沿所述光轴的第一距离。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一距离随着所述聚焦区域在所述目标组织中沿所述治疗路径穿行，而在第一预定值和第二预定值之间变化。4.根据权利要求3所述的系统，其中所述第一预定值和所述第二预定值之间的差值小于0.25mm。5.根据权利要求3所述的系统，其中所述第一预定值是0.001mm，并且所述第二预定值是10mm。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为通过改变与所述EMR相关联的发散，而改变所述聚焦区域和所述第二窗口的所述第二远侧表面之间沿所述光轴的第一距离。7.根据权利要求1所述的系统，进一步包括扫描器，其中所述扫描器被配置为从所述控制器接收控制信号，并且基于所述控制信号沿所述第一扫描路径移动所述光学元件。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一扫描路径基本上平行于所述第二窗口的第二远侧表面。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为改变所述EMR的强度。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为改变所述冷却剂腔中的冷却剂的流量。11.根据权利要求1所述的系统，其中所述光学元件具有处于约0.1至约1.0范围内的数值孔径(NA)。12.根据权利要求1所述的系统，其中所述EMR具有处于约1W至约100W范围内的平均功率。13.根据权利要求1所述的系统，其中所述EMR包括具有处于约400nm至约4000nm范围内的波长的脉冲激光束。14.根据权利要求1所述的系统，其中所述EMR被配置为在所述聚焦区域中生成热离子2CN113543737A权利要求书2/4页等离子体。15.根据权利要求1所述的冷却元件，进一步包括气体源，所述气体源被配置为将气体引导至所述第一窗口，所述气体被配置为防止所述第一窗口上的冷凝。16.一种方法，包括：生成聚焦电磁辐射EMR；经冷却元件传送所述聚焦EMR，其中所述冷却元件包括：第一窗口，其包括第一近侧表面和第一远侧表面，处于所述第一窗口下游的第二窗口，所述第二窗口包括第二近侧表面和第二远侧表面，其中所述