一种减少低压电极箔箔灰的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113611536A(43)申请公布日2021.11.05(21)申请号202110912683.8(22)申请日2021.08.10(71)申请人南通海星电子股份有限公司地址226000江苏省南通市通州区平潮镇通扬南路518号申请人南通海一电子有限公司四川中雅科技有限公司(72)发明人刘慧周红炎金学军何桂丽王贵州宋双喜肖飞龚煜(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人顾伯兴(51)Int.Cl.H01G9/00(2006.01)H01G9/055(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种减少低压电极箔箔灰的制造方法(57)摘要本发明公开了一种减少低压电极箔箔灰的制造方法，包括以下步骤：步骤（1），铝箔在0.1wt%‑0.5wt%氢氧化钠溶液中浸泡处理1min‑4min；步骤（2），在包含0.01wt%~0.2wt%琼脂粉和1wt%‑10wt%盐酸、0.01wt%‑0.1wt%硫酸的混合溶液中交流加电发孔腐蚀30s‑2min；步骤（3），在包含0.1wt%~0.4wt%琼脂粉和1wt%‑10wt%盐酸、0.01wt%‑0.1wt%硫酸、0.05wt%‑0.25wt%磷酸的混合溶液中交流加电扩孔腐蚀6min‑10min；步骤（4），采用0.5wt%‑1.2wt%硝酸溶液浸泡2min‑4min；步骤（5），纯水清洗后烘干处理；其中，步骤（2）的发孔腐蚀液中加入琼脂粉和/或步骤（3）扩孔腐蚀液中加入琼脂粉。本发明的目的在于在电解槽液中添加琼脂粉的方式，有效提升电极箔容量的同时，促进铝粉溶解于混酸槽液中，减少低压电极箔的箔灰残留。CN113611536ACN113611536A权利要求书1/1页1.一种减少低压电极箔箔灰的制造方法，包括以下步骤：步骤（1），铝箔在0.1wt%‑0.5wt%氢氧化钠溶液中浸泡处理1min‑4min；步骤（2），发孔腐蚀溶液中交流加电发孔腐蚀30s‑2min；步骤（3），扩孔腐蚀溶液中交流加电扩孔腐蚀6min‑10min；步骤（4），采用0.5wt%‑1.2wt%硝酸溶液浸泡2min‑4min；步骤（5），纯水清洗后烘干处理；其特征在于：步骤（2）的发孔腐蚀液中加入琼脂粉和/或步骤（3）扩孔腐蚀液中加入琼脂粉。2.如权利要求1所述减少低压电极箔箔灰的制造方法，其特征在于：所述步骤（2）的发孔腐蚀溶液为0.01wt%~0.2wt%琼脂粉和1wt%‑10wt%盐酸、0.01wt%‑0.1wt%硫酸的混合溶液。3.如权利要求2所述减少低压电极箔箔灰的制造方法，其特征在于：所述步骤（3）的扩孔腐蚀溶液为0.1wt%~0.4wt%琼脂粉和1wt%‑10wt%盐酸、0.01wt%‑0.1wt%硫酸、0.05wt%‑0.25wt%磷酸的混合溶液。4.如权利要求3所述减少低压电极箔箔灰的制造方法，其特征在于：所述步骤（2）为：包含0.05wt%琼脂粉和6wt%盐酸、0.03wt%硫酸的混合溶液中交流加电发孔腐蚀1min30s。5.如权利要求4所述减少低压电极箔箔灰的制造方法，其特征在于：所述步骤（3）为：0.3wt%琼脂粉的8wt%盐酸、0.05wt%硫酸、0.1wt%磷酸混合溶液中交流加电扩孔腐蚀8min。6.如权利要求5所述减少低压电极箔箔灰的制造方法，其特征在于：所述铝箔的纯度为99.99%，厚度为104µm。7.如权利要求6所述减少低压电极箔箔灰的制造方法，其特征在于：所述步骤（3）后，还包括步骤（3‑4）：步骤（3）得到的电极箔采用温度为25℃的自来水清洗60秒。8.如权利要求7所述减少低压电极箔箔灰的制造方法，其特征在于：所述步骤（5）为电极箔置于25℃纯水清洗6min后烘干处理。2CN113611536A说明书1/4页一种减少低压电极箔箔灰的制造方法技术领域[0001]本发明涉及铝电解电容器用电极箔的制造方法，尤其公开了一种减少低压电极箔箔灰的制造方法。背景技术[0002]低压铝电解电容器所使用的高纯铝电极箔，是通过交流电化学扩面腐蚀得到。高纯铝箔经过交流电蚀过程，在表面一定厚度形成海绵状蚀孔，由于电解腐蚀的进行，高纯铝表面析出大量铝粉，一部分溶解与酸液中，一部分在后道水洗过程中清洗出来，还有部分残留在铝箔蚀孔中，最终变成箔灰，对电极箔容量及接触电阻均存在一定影响。[0003]现有技术中，在高纯铝电极箔制造过程中，普遍采用自来水喷淋方式清洗，仅能将铝箔浅表面的铝粉清洗出来，而在深层次蚀孔中的铝粉无法通过该方式有效清洗。发明内容[0004]本发明的目的在于克服以上不足之处，提供一种有效提升电极箔容量、促进铝粉溶解的减少低压电极箔箔灰的制造方法。[0005]本发明的目的通过以下技术方案来实现：