图案化方法及半导体结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113628957A(43)申请公布日2021.11.09(21)申请号202110898137.3(22)申请日2021.08.05(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人曹新满刘忠明张家云(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438代理人孙宝海袁礼君(51)Int.Cl.H01L21/033(2006.01)H01L21/027(2006.01)H01L21/3213(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图12页(54)发明名称图案化方法及半导体结构(57)摘要本发明公开一种图案化方法及半导体结构，图案化方法包括：提供衬底；在衬底上形成目标刻蚀层；在目标刻蚀层上形成具有第一图案的图形转移层；在图形转移层内形成第二图案，其中，第二图案的边界与第一图案的边界不重合；以图形转移层为掩膜，刻蚀目标刻蚀层。CN113628957ACN113628957A权利要求书1/2页1.一种图案化方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成目标刻蚀层；在所述目标刻蚀层上形成具有第一图案的图形转移层；在所述图形转移层内形成第二图案，其中，所述第二图案的边界与所述第一图案的边界不重合；以所述图形转移层为掩膜，刻蚀所述目标刻蚀层。2.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述第二图案的边界位于所述第一图案的边界以内。3.根据权利要求2所述的图案化方法，其特征在于，所述第二图案的边界与所述第一图案的边界之间的距离小于或等于50nm。4.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述第一图案包括多条间隔设置且沿第一方向延伸的第一条状结构，所述第二图案包括多条间隔设置且沿第二方向延伸的第二条状结构；其中，所述第二方向与所述第一方向不同。5.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在所述目标刻蚀层上形成具有第一图案的图形转移层，包括：在所述图形转移层的顶面形成多个间隔设置且沿第一方向延伸的第一掩膜条；在所述图形转移层的顶面以及所述第一掩膜条的顶面和侧面形成第一侧墙层；在第一侧墙层的表面形成第一牺牲层；刻蚀所述第一掩膜条和所述第一牺牲层之间的所述第一侧墙层，并以刻蚀后的图案为掩膜，刻蚀所述图形转移层。6.根据权利要求5所述的图案化方法，其特征在于，在所述图形转移层的顶面形成多个间隔设置且沿第一方向延伸的第一掩膜条，包括：在所述图形转移层的顶面由下至上依次形成第二牺牲层、第一介质层和第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二牺牲层和所述第一介质层；其中，所述第一光刻胶层具有第一开口，所述第一开口的位置对应于相邻的所述第一掩膜条之间的间隙。7.根据权利要求6所述的图案化方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的材料均包括氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。8.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在所述图形转移层内形成第二图案，包括：在所述图形转移层上由下至上依次形成第三牺牲层和中间层；在所述中间层的顶面形成多个间隔设置且沿第二方向延伸的第二掩膜条；在所述中间层的顶面和所述第二掩膜条的顶面和侧面形成第二侧墙层；在所述第二侧墙层的表面形成第四牺牲层；刻蚀所述第二掩膜条和所述第四牺牲层之间的所述第二侧墙层，并以刻蚀后的图案为掩膜依次刻蚀所述中间层、所述第三牺牲层和所述图形转移层。9.根据权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，在所述中间层的顶面形成多个间隔2CN113628957A权利要求书2/2页设置且沿第二方向延伸的第二掩膜条，包括：在所述中间层的顶面由下至上依次形成第五牺牲层、第二介质层和第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二介质层和所述第五牺牲层；其中，所述述第二光刻胶层具有第二开口，所述第二开口的位置对应于相邻的所述第二掩膜条之间的间隙。10.根据权利要求9所述的图案化方法，其特征在于，所述第三牺牲层、所述第四牺牲层和所述第五牺牲层的材料均包括氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。11.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在所述目标刻蚀层上形成具有第一图案的图形转移层之前，所述方法还包括：在所述目标刻蚀层的顶面由下至上依次形成第一材料层和第二材料层；所述第一材料层材料包括多晶硅，第二材料层的材料包括氮氧化硅。12.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述目标刻蚀层的材料包括钨。13.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述方法还包括：去除所述目标刻蚀层的图案的边缘区域。14.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述图形转移层的材料包括氧化硅。15.一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1至14任一项所述的图案化