一种拼接工艺拼接处的优化方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113643964A(43)申请公布日2021.11.12(21)申请号202110788958.1(22)申请日2021.07.13(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人陈一萌姬峰陈昊瑜王奇伟秦佑华(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/033(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种拼接工艺拼接处的优化方法(57)摘要本发明提供一种拼接工艺拼接处的优化方法，第一、第二图形相互拼接，拼接处存在重叠区域；在重叠区域上下两侧添加高度h、长度L的第一台阶图形；高度h取四组数据，长度L取四组数据，形成十六组第一台阶图形；在重叠区域上下两侧、第一台阶图形两边添加高度为h/2、长度为L的第二台阶图形；第一、第二台阶图形组合形成十六组添加图形；十六组添加图形与第一、第二图形组合形成优化图形；利用第一、第二图形形成第一刻蚀图形；利用优化图形形成第二刻蚀图形；比较第一、第二刻蚀图形的线宽，选择接近目标线宽值的高度和所述长度的组合。本发明解决了原GDS图形因拼接重叠，重叠区域二次曝光导致刻蚀图形线宽缩小的问题，提高了像素单元的性能。CN113643964ACN113643964A权利要求书1/1页1.一种拼接工艺拼接处的优化方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供背面金属隔栅的GDS图形，所述GDS图形包括第一、第二图形，所述第一、第二图形相互拼接，其拼接处存在重叠区域；步骤二、在所述重叠区域的上下两侧分别添加高度为h、长度为L的第一台阶图形；所述第一台阶图形的边界点与所述重叠区域的距离为h/2；其中高度h分别取四组数据，长度L分别取四组数据，形成十六组所述第一台阶图形；步骤三、在所述重叠区域的上下两侧、所述第一台阶图形的两边分别添加高度为h/2、长度为L的第二台阶图形；所述第二台阶图形的其中一个边界点与所述第一台阶图形的所述边界点连接，所述第二台阶图形的另一个边界点分别位于所述第第一、二图形的边缘；其中高度h分别取步骤二中的所述四组数据，长度L分别取步骤二中的所述四组数据，形成十六组所述第二台阶图形；所述第一台阶图形和第二台阶图形组合形成十六组添加图形；所述十六组添加图形与所述第一、第二图形组合形成优化图形；步骤四、利用步骤一中的所述第一、第二图形进行曝光、显影和刻蚀，形成第一刻蚀图形；利用所述优化图形进行曝光、显影和刻蚀，形成十六组第二刻蚀图形；步骤五、将所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形的线宽进行比较，选择接近目标线宽值的所述高度h和所述长度L的组合。2.根据权利要求1所述的拼接工艺拼接处的优化方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、第二图形为宽度相同的矩形。3.根据权利要求2所述的拼接工艺拼接处的优化方法，其特征在于：步骤一中的所述重叠区域的长度450nm。4.根据权利要求1所述的拼接工艺拼接处的优化方法，其特征在于：步骤二、三中所述第一台阶图形的高度h取值为10nm、20nm、30nm、40nm。5.根据权利要求1所述的拼接工艺拼接处的优化方法，其特征在于：步骤二、三中的所述第一台阶图形的长度L取值为150nm、200nm、250nm、300nm。6.根据权利要求1所述的拼接工艺拼接处的优化方法，其特征在于：步骤二中的所述第一台阶图形位于所述重叠区域上方的中央位置。2CN113643964A说明书1/4页一种拼接工艺拼接处的优化方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种拼接工艺拼接处的优化方法。背景技术[0002]在背照式图像传感器(CISBSI)制造工艺中，背面金属隔栅光罩层(BMGmask)的GDS图形在其拼接处存在重叠(overlap)，该重叠区域的长度为450nm，如图1所示，图1显示为现有技术中GDS图形拼接处曝光后的示意图。目前GDS在拼接处的宽度的设计与正常区域保持一致，由于重叠的区域在光刻工艺中进行二次曝光，刻蚀后图形线宽CD相比正常区域要小的多，为了与正常像素pixel区域匹配，需要提出一种拼接处GDS图形来优化拼接处的像素性能。发明内容[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种拼接工艺拼接处的优化方法，用于解决现有技术中背面金属隔栅光罩层图形重叠导致刻蚀后图形线宽变小的问题。[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种拼接工艺拼接处的优化方法，至少包括：[0005]步骤一、提供背面金属隔栅的GDS图形，所述GDS图形包括第一、第二图形，所述第一、第二图形相互拼接，其拼接处存在重叠