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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113666363A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号202110897805.0C09D7/61(2018.01)(22)申请日2021.08.05(71)申请人深圳烯创技术有限公司地址518000广东省深圳市南山区粤海街道高新南环路29号留学生创业大厦二期7楼701(72)发明人付华庆徐帆赵旭侯嘉兴彭庆宇赫晓东(74)专利代理机构哈尔滨龙科专利代理有限公司23206代理人王新雨(51)Int.Cl.C01B32/184(2017.01)C01B32/194(2017.01)C09D1/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法(57)摘要一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,属于材料技术领域。本发明的目的是为了解决目前的复合材料散热效果和电磁屏蔽效果差的问题,所述方法为:将氧化石墨烯浆料进行均匀搅拌;真空冷冻干燥处理;水合肼还原处理;高温石墨化处理;真空冷压处理;加工中心进行机加;使用机械平磨进行打磨;加热台预热;将热辐射涂层使用喷枪均匀喷涂至石墨烯板表面;所述热辐射涂层包括二氧化锆、三氧化二铁、三氧化二铬和石墨烯粉末,按照2:1:2:5~6进行配比;喷涂后的石墨烯板进行固化。本发明的材料厚度仅在0.5mm~2mm之间,电磁屏蔽性能整体为50~70dB,喷涂热辐射涂层的石墨烯板比未喷涂的石墨烯板热辐射系数高0.34~0.41。CN113666363ACN113666363A权利要求书1/1页1.一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:所述方法具体步骤为:步骤一:将氧化石墨烯浆料进行均匀搅拌;步骤二:将搅拌均匀的氧化石墨烯浆料进行真空冷冻干燥处理;步骤三:将真空冷冻干燥处理后的材料进行水合肼还原处理;步骤四:将水合肼还原处理后的材料进行高温石墨化处理;步骤五:将高温石墨化处理后的样品进行真空冷压处理;步骤六:将冷压后的石墨烯样品进行加工中心进行机加;步骤七:将石墨烯板表面使用机械平磨进行打磨;步骤八:将石墨烯板使用加热台预热;步骤九:将热辐射涂层均匀喷涂至石墨烯板表面;所述热辐射涂层包括二氧化锆、三氧化二铁、三氧化二铬和石墨烯粉末,按照2:1:2:5~6进行配比;步骤十:喷涂后的石墨烯板进行固化。2.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤一中,所述氧化石墨烯浆料的固含量为1~15mg/ml,搅拌时间为1h~5h。3.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤二中,所述真空冷冻干燥处理具体为:自‑45℃逐渐升温至45℃,升温速率为1℃~2℃/h。4.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤三中,所述水合肼还原处理具体为:在80℃~90℃温度下处理2h~48h。5.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤四中,所述高温石墨化处理具体为:自2500℃升温至3000℃,升温速率5℃‑10℃/min。6.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤五中,所述真空冷压处理的压力为100t‑120t,处理时间为10min,真空度0.05~0.2Pa。7.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤六中,所述机加的厚度控制在0.5‑2mm,长度控制在75mm±0.2mm,宽度控制在25±0.25mm,表面粗超度控制在Ra1.6;步骤七中,所述打磨的粗超度控制在Ra12.5。8.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤八中,所述预热的温度为70℃‑80℃。9.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤九中,所述热辐射涂层的厚度控制在4μm‑6μm。10.根据权利要求1所述的一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法,其特征在于:步骤十中,所述固化的程序具体为:室温固化60min,300℃固化60min。2CN113666363A说明书1/4页一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法技术领域[0001]本发明属于材料技术领域,具体涉及一种高热辐射系数和高电磁屏蔽的氧化石墨烯材料的制备方法。背景技术[0002]当今社会随着电子元气件小型化趋势越来越强,电子集成度越来越高,单位面积下热积累也越来越高,为了