一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113716775A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202111010917.6C02F1/56(2006.01)(22)申请日2021.08.31C02F1/66(2006.01)C02F1/72(2006.01)(71)申请人四川恒泰环境技术有限责任公司C02F1/78(2006.01)地址621000四川省绵阳市科创园区园艺C02F101/10(2006.01)街20号C02F101/14(2006.01)(72)发明人杨红梅孙冬向迎洪杨汉军C02F101/16(2006.01)黄文凤肖德龙刘世林黄莉蒲柳杨永见张伟才(74)专利代理机构成都为知盾专利代理事务所(特殊普通合伙)51267代理人李汉强(51)Int.Cl.C02F9/10(2006.01)C02F1/04(2006.01)C02F1/52(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法(57)摘要本发明公开了一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，目的在于解决砷化镓芯片的高砷高盐和含砷研磨废水的处理问题。该方法包括如下步骤：(1)高砷高盐废水结晶脱盐及单效蒸发预处理；(2)含砷研磨废水沉淀预处理；(3)综合废水除砷除磷除氟沉淀处理；(4)芬顿臭氧二级氧化及沉淀处理；(5)氨氮去除；(6)树脂吸附(7)污泥处理。本发明工艺合理，能够解决高砷高盐砷化镓芯片废水结晶堵塞、难沉淀的问题，消除高盐和研磨液超细悬浮物对树脂吸附的不利影响，保证处理后的废水达标排放，具有显著的经济价值、环境价值，对于促进半导体产生的发展，具有现实的意义。CN113716775ACN113716775A权利要求书1/2页1.一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)高深高盐废水结晶脱盐并单效蒸发预处理：当环境温度≤10℃时，先进行结晶脱盐预处理，脱水后的滤液送入高砷高盐废水调节池；当环境温度＞10℃时，将高砷高盐砷化镓废水直接送入高砷高盐废水调节池内；(2)高砷高盐废水调节池的废水被送入pH调节池，调节pH后再进行蒸发处理，分别得到冷凝液、结晶盐和母液；将冷凝液送入综合调节池；结晶盐作为危废外运处置；母液返回蒸发器，并定期外运部分作为危废处置；(3)含砷研磨废水沉淀预处理：含砷研磨废水首先进入絮凝沉淀池，投加絮凝剂进行一段混凝沉淀，去除大部分研磨悬浮物和磷后被送入综合调节池内；(4)综合废水除砷除磷除氟沉淀处理，将综合调节池内PH值调节为中性后，将废水送入除砷除磷除氟反应池，加入沉淀剂沉淀砷、磷和氟离子后，投加絮凝剂进行二段混凝沉淀，凝絮沉淀后将废水送入芬顿氧化池；(5)芬顿臭氧二级氧化及沉淀处理：将废水PH值调节为3后，投入A组物料进行芬顿反应，芬顿反应完成后，将废水PH值调节为8，投入助凝剂进行三段混凝沉淀，沉淀完成，将废水引入中间水池，投加B组物料进行臭氧催化氧化反应；待臭氧催化氧化完成，再向废水中投入絮凝剂，进行四段混凝沉淀；(6)氨氮处理：向完成四段混凝沉淀后的废水中投入氧化剂，去除氨氮，再投入还原剂去除多余氧化剂，后投加强碱将PH值调为7；(7)树脂吸附处理：利用离子吸附树脂对PH值为7的废水进行吸附，检测，实现达标排放；(8)污泥处理：将一至四段混凝沉淀中产生的污泥送入污泥浓缩池，定期投入离心脱水机内，脱水后的滤液进入高砷高盐废水调节池继续处理，滤饼作为危废处置。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述结晶脱盐预处理，即将高砷高盐砷化镓废水送入结晶罐内进行结晶，结晶后通过离心机进行脱水处理，脱水后的滤液送入高砷高盐废水调节池。3.根据权利要求1所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中，在蒸发处理前，先通过氢氧化钠将PH调节为7，所述蒸发处理为使用单效蒸发器进行蒸发处理，单效蒸发器采用导热油炉作为热源。4.根据权利要求1所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，其特征在于，所述絮凝剂为碱式氯化铝，聚丙烯酰胺。5.根据权利要求1所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，其特征在于，所述步骤(4)中，综合调节池内的水可为步骤(1)、步骤(2)和步骤(3)的混合水，所述沉淀剂为硫酸亚铁和氯化钙。6.根据权利要求5所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，其特征在于，步骤(5)中，所述A组物料为硫酸亚铁和双氧水，所述B组物料为硫酸亚铁和臭氧。7.根据权利要求1所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含