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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113754205A(43)申请公布日2021.12.07(21)申请号202111214977.X(22)申请日2021.10.19(71)申请人江苏南大华兴环保科技股份公司地址224000江苏省盐城市亭湖区环保大道盐城环保科技城众创中心E座(三楼)(72)发明人赵选英董颖杨峰张永栋戴建军(74)专利代理机构北京冠和权律师事务所11399代理人陈彦朝(51)Int.Cl.C02F9/14(2006.01)C02F1/52(2006.01)C02F3/30(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法(57)摘要本发明公开了一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,包括以下步骤:S1、将待处理蚀刻液废水输送至钙盐沉淀池进行除氟预处理;S2、将除氟预处理后的废水以及综合废水输送至生化调节池,调节pH为7‑8;S3、调节pH后的废水输送至短程硝化池进行短程硝化反应,功能性菌群为氨氧化菌,将氨氮氧化为亚硝态氮,短程硝化池内悬挂生物填料,pH为7‑8;S4、经步骤S3处理后的废水输送至反硝化池,维持C/N比在3‑4;S5、经步骤S4处理后的废水输送至好氧硝化池,进行进一步碳氧化反应和硝化反应,好氧硝化池废水回流至反硝化池,回流比为1~4:1。本发明能够大大降低高氟高氨氮废水出水时氟化物和氨氮的浓度,实现高氟高氨氮废水深度除氟、脱氮的目的。CN113754205ACN113754205A权利要求书1/1页1.一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、将待处理蚀刻液废水输送至钙盐沉淀池进行除氟预处理;S2、将除氟预处理后的废水以及综合废水输送至生化调节池,调节pH为7‑8;S3、调节pH后的废水流至短程硝化池进行短程硝化反应,功能性菌群为氨氧化菌,氨氮被氧化成亚硝氮,短程硝化池内悬挂生物填料,池内补充碳酸氢钠维持系统碱度>70mg/L,pH为7‑8;S4、经步骤S3处理后的废水输送至反硝化池,反硝化池补加碳源,维持C/N比为3‑4;S5、经步骤S4处理后的废水输送至好氧硝化池,进行进一步碳氧化反应和硝化反应,好氧硝化池废水回流至反硝化池,回流比为1~4:1;S6、处理后的废水输送至沉淀池沉淀分离,上清液排入标准排放口,下部污泥委外处置。2.根据权利要求1所述的基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:所述沉淀池中的污泥可通过回流管回流至短程硝化池。3.根据权利要求1所述的基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:所述好氧硝化池中的废水可通过回流管回流至所述反硝化池。4.根据权利要求1所述的基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:所述步骤S1中的除氟预处理为:首先在钙盐沉淀池内添加石灰乳调节pH为9‑10,再添加钙盐溶液并沉淀1‑2h,钙盐溶液和氟离子的投放比例为1.5:1。5.根据权利要求1所述的基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:所述钙盐溶液为氧化钙溶液、碳酸钙溶液和氯化钙溶液中的至少一种。6.根据权利要求1所述的基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:在生化调节池内投入絮凝剂进行絮凝沉淀。7.根据权利要求1所述的基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:所述综合废水为厂区生活污水和未含氟生产废水。8.根据权利要求1所述的基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,其特征在于:所述反硝化池内的有机碳源为易降解废水。2CN113754205A说明书1/4页一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法技术领域[0001]本发明属于废水生物处理技术领域,特别是涉及一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法。背景技术[0002]近几年,我国电子工业得到快速发展,其中蚀刻工艺为印刷线路板、玻璃镜片等生产过程中的关键步骤之一,玻璃化学蚀刻工艺中主要包括光面蚀刻和毛面蚀刻,其中光面蚀刻主要是利用氢氟酸与玻璃表面进行反应,形成可溶性盐类;而毛面蚀刻则需要加入氟化铵(NH4F),在与玻璃和氢氟酸的反应中生成硅氟化铵微晶。由于玻璃蚀刻技术会大量使用氢氟酸和氟化铵(NH4F),造成蚀刻废水中含有高浓度的氟化物和超高浓度的氨氮,增加了废水处理的难度。针对该类废水,现有的处理方法通常采用化学沉淀法,吹脱汽提等,使得污水厂废水处理成本耗费高,出水达标难,容易产生二次污染。发明内容[0003]本发明主要解决的技术问题是提供一种基于短程硝化反硝化的电子行业废水处理方法,能够大大降低高氟高氨氮废水出水时氟化物和氨氮的浓度,实现高氟高氨氮废水深度除氟、脱氮的目的。[0004]为解决上述技术问题,本发明采用的一个技