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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113885796A(43)申请公布日2022.01.04(21)申请号202111116721.5(22)申请日2021.09.23(71)申请人至誉科技(武汉)有限公司地址430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新二路特一号关南工业园2号厂房2-3楼西面(72)发明人刘志龙弗兰克·陈熊小明蒋露高兰娟(74)专利代理机构武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)42225代理人张凯(51)Int.Cl.G06F3/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称固态硬盘的性能调控方法、装置、设备及可读存储介质(57)摘要本发明提供一种固态硬盘的性能调控方法、装置、设备及可读存储介质,该方法包括:获取设置指令,根据所述设置指令从预设的多个档位中确定目标档位;获取目标档位对应的频率参数,将所述频率参数写入非易失性存储介质NorFlash中;固态硬盘从非易失性存储介质NorFlash中读取所述频率参数,并基于所述频率参数运行。通过本发明,根据设置指令确定目标档位并获取目标档位对应的频率参数,固态硬盘基于目标档位对应的频率参数运行固态硬盘即可对固态硬盘的性能进行更改,操作简便,效率高,而且不再是只能由研发人员进行操作。CN113885796ACN113885796A权利要求书1/1页1.一种固态硬盘的性能调控方法,其特征在于,所述固态硬盘的性能调控方法包括:获取设置指令,根据所述设置指令从预设的多个档位中确定目标档位;获取目标档位对应的频率参数,将所述频率参数写入非易失性存储介质NorFlash中;固态硬盘从非易失性存储介质NorFlash中读取所述频率参数,并基于所述频率参数运行。2.如权利要求1所述的固态硬盘的性能调控方法,其特征在于,所述多个档位中的每个档位对应一组频率参数。3.如权利要求2所述的固态硬盘的性能调控方法,其特征在于,所述频率参数包括动态随机存取存储器频率参数、中央处理器频率参数、纠错控制频率参数、NAND闪存芯片频率参数以及PCIE带宽参数。4.如权利要求1所述的固态硬盘的性能调控方法,其特征在于,所述获取目标档位对应的频率参数的步骤之后,包括:将所述目标档位写入非易失性存储介质NorFlash中,并在客户端显示。5.如权利要求1所述的固态硬盘的性能调控方法,其特征在于,所述固态硬盘从非易失性存储介质NorFlash中读取所述频率参数,并基于所述频率参数运行的步骤包括:固态硬盘初始化过程中从非易失性存储介质NorFlash中读取所述频率参数,初始化完成后,固态硬盘基于所述频率参数运行。6.一种固态硬盘的性能调控装置,其特征在于,所述固态硬盘的性能调控装置包括:第一获取模块:用于获取设置指令,根据所述设置指令从预设的多个档位中确定目标档位;第二获取模块:用于获取目标档位对应的频率参数,将所述频率参数写入非易失性存储介质NorFlash中;运行模块:用于固态硬盘从非易失性存储介质NorFlash中读取所述频率参数,并基于所述频率参数运行。7.如权利要求6所述的固态硬盘的性能调控装置,其特征在于,所述多个档位中的每个档位对应一组频率参数。8.如权利要求6所述的固态硬盘的性能调控装置,其特征在于,所述频率参数包括动态随机存取存储器频率参数、中央处理器频率参数、纠错控制频率参数、NAND闪存芯片频率参数以及PCIE带宽参数。9.一种固态硬盘的性能调控设备,其特征在于,所述固态硬盘的性能调控设备包括处理器、存储器、以及存储在所述存储器上并可被所述处理器执行的固态硬盘的性能调控程序,其中所述固态硬盘的性能调控程序被所述处理器执行时,实现如权利要求1至5中任一项所述的固态硬盘的性能调控方法的步骤。10.一种可读存储介质,其特征在于,所述可读存储介质上存储有固态硬盘的性能调控程序,其中所述固态硬盘的性能调控程序被处理器执行时,实现如权利要求1至5中任一项所述的固态硬盘的性能调控方法的步骤。2CN113885796A说明书1/6页固态硬盘的性能调控方法、装置、设备及可读存储介质技术领域[0001]本发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种固态硬盘的性能调控方法、装置、设备及可读存储介质。背景技术[0002]固态硬盘(SolidStateDrives),简称固盘,固态硬盘(SolidStateDrive)用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘的频率越高,固态硬盘的性能就越高,功耗也越高,反之则越低。现有的固态硬盘性能调节方案是将频率写入固件中,每次要更改固态硬盘的性能时,都需要研发人员重新去更改固件,重新去配置频率,然后重新烧写固件并重启固态硬盘后才能生效,不仅操作繁琐,效率低