基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113884537A(43)申请公布日2022.01.04(21)申请号202111189364.5(22)申请日2021.10.12(71)申请人国家电网有限公司地址100031北京市西城区西长安街86号申请人国网重庆市电力公司检修分公司(72)发明人郑凯张志劲雷雨蒋兴良杨富淇梁田郑华龙(74)专利代理机构北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司11129代理人胡博文(51)Int.Cl.G01N25/72(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法(57)摘要本发明公开了一种基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法，包括步骤：S1.构造缺陷型瓷绝缘子串；S2.得到缺陷型瓷绝缘子片在不同环境温度下的红外温升值；S3.构建缺陷型瓷绝缘子片的红外温升数据库；S4.得到待测瓷绝缘子片在所处环境温度下的红外温升值；S5.判断缺陷型瓷绝缘子片红外温升数据库中是否存在与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下相同的红外温升值，若是，则将与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下相同的红外温升值作为目标红外温升值，并将目标红外温升值对应的缺陷类型作为待测瓷绝缘子片的缺陷类型；若否，则待测瓷绝缘子片没有缺陷。本发明能够准确判断瓷绝缘子的缺陷类型，实现对瓷绝缘子的有效检测，检测结果准确可靠。CN113884537ACN113884537A权利要求书1/2页1.一种基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法，其特征在于：包括如下步骤：S1.构造缺陷型瓷绝缘子串；S2.对设置于不同环境温度下的缺陷型瓷绝缘子串分别进行红外温升检测，得到缺陷型瓷绝缘子片的红外温升值；S3.基于缺陷型瓷绝缘子片的红外温升值，构建缺陷型瓷绝缘子片的红外温升数据库；S4.对待测瓷绝缘子片进行红外温升检测，得到待测瓷绝缘子片在所处环境温度下的红外温升值；S5.判断缺陷型瓷绝缘子片红外温升数据库中是否存在与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下相同的红外温升值，若是，则将与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下相同的红外温升值作为目标红外温升值，并将目标红外温升值对应的缺陷类型作为待测瓷绝缘子片的缺陷类型；若否，则待测瓷绝缘子没有缺陷。2.根据权利要求1所述的基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法，其特征在于：构造缺陷型瓷绝缘子串，具体包括：S11.获取有缺陷的瓷绝缘子片；S12.将有缺陷的瓷绝缘子片布置到正常瓷绝缘子串的不同位置，得到不同缺陷类型的瓷绝缘子串；其中，所述瓷绝缘子片的缺陷类型包括零值、低值以及破损。3.根据权利要求1所述的基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤S12，具体包括：将有缺陷的瓷绝缘子片分别布置到正常瓷绝缘子串的高压端、中压端以及低压端，得到单一缺陷的瓷绝缘子串；将有缺陷的至少2个瓷绝缘子片同时布置到正常瓷绝缘子串的不同位置，得到组合缺陷的瓷绝缘子串。4.根据权利要求1所述的基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤S2，具体包括：S21.选取能进行红外温升检测的检测仪器，并对检测仪器进行校准；S22.按照设定的检测距离，在设定的环境温度下，使用校准后的检测仪器依次对缺陷型瓷绝缘子串中每一个瓷绝缘子片进行测量，得到每一个瓷绝缘子片的红外温升值；其中，在检测时，根据缺陷型瓷绝缘子串中瓷绝缘子的片数对缺陷型瓷绝缘子串施加相应的运行电压；S23.改变环境温度，并按照步骤S22再次对缺陷型瓷绝缘子串进行测量；S24.重复步骤S23若干次，得到不同环境温度下缺陷型瓷绝缘子片的红外温升值。5.根据权利要求1所述的基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法，其特征在于：步骤S4中，对待测瓷绝缘子片进行红外温升检测，得到待测瓷绝缘子片在所处环境温度下的红外温升值，具体包括：S41.选取能进行红外温升检测的检测仪器，并对检测仪器进行校准；S42.按照设定的检测距离，使用校准后的检测仪器依次对待测瓷绝缘子串中每一个瓷绝缘子片进行测量，得到每一个瓷绝缘子片在所处环境温度下的红外温升值。6.根据权利要求1所述的基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤S5，具体包括：2CN113884537A权利要求书2/2页S51.若缺陷型瓷绝缘子片红外温升数据库中存在与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下最为接近的红外温升值，则进入步骤S52，并将最为接近的红外温升值对应的缺陷型瓷绝缘子片作为目标瓷绝缘子片；否则，缺陷型瓷绝缘子片红外温升数据库中不存在与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下相同的红外温升值；S52.将与待测瓷绝缘子片相邻的瓷绝缘子片作为瓷绝缘子片A，将与目标瓷绝缘子片相邻的瓷绝缘子片作为瓷绝缘子片A’，并判断瓷绝缘子片A的温升值与瓷绝缘子片A’的温升值是否相同，若是，则将目