半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114097073A(43)申请公布日2022.02.25(21)申请号202080048374.4(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任(22)申请日2020.11.27公司11021代理人王永红(30)优先权数据2019-2155622019.11.28JP(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C09J133/10(2006.01)2021.12.30(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0443522020.11.27(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/107137JA2021.06.03(71)申请人积水化学工业株式会社地址日本大阪府(72)发明人今智范权利要求书2页说明书17页附图2页(54)发明名称时固定带对半导体加工用粘合带的剥离力，Fb半导体装置的制造方法及半导体加工用层(T1)表示Fb(t)的温度t＝T1时的值。叠体(57)摘要本发明的目的在于提供能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离，良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法、以及半导体加工用层叠体。本发明的半导体装置的制造方法具有如下的工序(3)：在将贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上且在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成有金属膜的半导体加工用层叠体中，从上述半导体加工用粘合带拾取在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装，在上述工序(3)中，在加热至满足下述式(1)的温度T1的状态下拾取在上述背面和侧面形成有金属膜的半导体封装。100＜{Fb(T1)/Fa(T1)}(1)式(1)中，Fa(t)表示温度t时的半导体加工用粘合带对铜板的剥离力，Fa(T1)表示FaCN114097073A(t)的温度t＝T1时的值，Fb(t)表示温度t时的临CN114097073A权利要求书1/2页1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下的工序(3)：在将贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以所述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上且在贴附有所述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成有金属膜的半导体加工用层叠体中，从所述半导体加工用粘合带拾取在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装，在所述工序(3)中，在加热至满足下述式(1)的温度T1的状态下拾取在所述背面和侧面形成有金属膜的半导体封装，100＜{Fb(T1)/Fa(T1)}(1)式(1)中，Fa(t)表示温度t时的半导体加工用粘合带对铜板的剥离力，Fa(T1)表示Fa(t)的温度t＝T1时的值，Fb(t)表示温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的剥离力，Fb(T1)表示Fb(t)的温度t＝T1时的值。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在工序(3)之前进行工序(1)和工序(2)，工序(1)，将贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以所述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式临时固定于临时固定带上，工序(2)，在所述临时固定带上，在贴附有所述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成金属膜。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，Fa(t)在温度T1时的值即Fa(T1)为0.5N/inch以下。4.根据权利要求1、2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，Fa(t)在23℃的值即Fa(23℃)为0.04N/inch以上。5.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，Fb(t)在23℃的值即Fb(23℃)为3N/inch以上。6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，Fb(t)在温度T1时的值即Fb(T1)为1N/inch以上且50N/inch以下。7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在工序(1)之前进行工序(1‑1)和工序(1‑2)，工序(1‑1)，在半导体封装的电路面贴附半导体加工用粘合带，工序(1‑2)，对贴附有所述半导体加工用粘合带的半导体封装进行切割，得到单片化的贴附有所述半导体加工用粘合带的半导体封装。8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，半导体加工用粘合带具有基材和层叠于该基材的至少一个面的粘合剂层，所述粘合剂层为光固化型粘合剂层。9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在工序(1‑1)之后，进行对半导体加工用粘合带的粘合剂层照射光的工序(1‑3)。10.一种半导体加工用层叠体，其特征在于，其为贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以所述半导