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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114264995A(43)申请公布日2022.04.01(21)申请号202010973319.8(22)申请日2020.09.16(71)申请人西门子(深圳)磁共振有限公司地址518057广东省深圳市高新区中区高新中二道西门子磁共振园(72)发明人张琼(51)Int.Cl.G01R33/561(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图9页(54)发明名称飞跃时间磁共振成像扫描方法、装置及磁共振成像系统(57)摘要本发明实施例公开了飞跃时间磁共振成像扫描方法、装置及磁共振系统。方法包括:TOF磁共振成像扫描开始,在向成像目标施加射频脉冲的同时,在磁场的Z方向施加第一选层梯度;在射频脉冲和第一选层梯度施加完毕后,在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度;在选层编码梯度和相位编码梯度施加完毕的同时,开始在磁场的X方向施加读出梯度;在读出梯度施加完毕的同时,开始向成像目标施加跟踪饱和脉冲,同时开始在磁场的Z方向施加第二选层梯度;在跟踪饱和脉冲施加完毕的同时,开始在磁场的X、Y、Z三个方向之一或任意组合施加损毁梯度。本发明实施例减少了TOF磁共振成像扫描时间。CN114264995ACN114264995A权利要求书1/2页1.一种飞跃时间TOF磁共振成像扫描方法,其特征在于,包括:TOF磁共振成像扫描开始,在向成像目标施加射频脉冲的同时,在磁场的Z方向施加第一选层梯度;在射频脉冲和第一选层梯度施加完毕后,在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度;在选层编码梯度和相位编码梯度施加完毕的同时,开始在磁场的X方向施加读出梯度;在读出梯度施加完毕的同时,开始向成像目标施加跟踪饱和脉冲,同时开始在磁场的Z方向施加第二选层梯度;在跟踪饱和脉冲施加完毕的同时,开始在磁场的X、Y、Z三个方向之一或任意组合施加损毁梯度。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在跟踪饱和脉冲施加完毕的同时,进一步包括:开始在磁场的Y、Z两个方向之一或组合施加回聚梯度。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在磁场的Z方向施加第一选层梯度之后,进一步包括:在第一选层梯度施加完毕的同时,开始在磁场的Z方向施加第一流动补偿梯度。4.根据权利要求1或3所述的方法,其特征在于,所述在射频脉冲和第一选层梯度施加完毕之后、在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度之前,进一步包括:在磁场的Z方向和Y方向同时施加相同长度的第二流动补偿梯度和第三流动补偿梯度;且所述在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度包括:在第二流动补偿梯度和第三流动补偿梯度施加完毕的同时,开始在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述开始在磁场的Z方向施加第一流动补偿梯度之后、开始在磁场的X方向施加读出梯度之前,进一步包括:在磁场的X方向施加第四流动补偿梯度;且开始在磁场的X方向施加读出梯度包括:在磁场的X方向的流动补偿施加完毕的同时,开始在磁场的X方向施加读出梯度。6.一种飞跃时间TOF磁共振成像扫描装置,其特征在于,包括:第一扫描控制模块,用于TOF磁共振成像扫描开始,在向成像目标施加射频脉冲的同时,在磁场的Z方向施加第一选层梯度;在射频脉冲和第一选层梯度施加完毕后,在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度;在选层编码梯度和相位编码梯度施加完毕的同时,开始在磁场的X方向施加读出梯度;在读出梯度施加完毕的同时,开始向成像目标施加跟踪饱和脉冲,同时开始在磁场的Z方向施加第二选层梯度;第二扫描控制模块,在跟踪饱和脉冲施加完毕的同时,开始在磁场的X、Y、Z三个方向之一或任意组合施加损毁梯度。7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第二扫描控制模块在跟踪饱和脉冲施加完毕的同时,进一步用于:开始在磁场的Y、Z两个方向之一或组合施加回聚梯度。2CN114264995A权利要求书2/2页8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一扫描控制模块在磁场的Z方向施加第一选层梯度之后,进一步用于:在第一选层梯度施加完毕的同时,开始在磁场的Z方向施加第一流动补偿梯度。9.根据权利要求6或8所述的装置,其特征在于,所述第一扫描控制模块在射频脉冲和第一选层梯度施加完毕之后、在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度之前,进一步用于:在磁场的Z方向和Y方向同时施加相同长度的第二流动补偿梯度和第三流动补偿梯度;且,所述第一扫描控制模块在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编码梯度和相位编码梯度包括:在第二流动补偿梯度和第三流动补偿梯度施加完毕的同时,开始在磁场的Z方向和Y方向分别施加选层编