VCSEL调谐装置和用于调谐VCSEL的方法.pdf
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VCSEL调谐装置和用于调谐VCSEL的方法.pdf
一种用于垂直腔面发射激光器VCSEL(20)的调谐装置,其包括:deltasigma调制器(10),其配置为生成包括比特信号的比特流(BS);以及电流源(11),其配置为根据控制信号(CS)以可切换的方式向VCSEL(20)提供电流。比特流(BS)基于目标状态信号(TS)生成,并且控制信号(CS)对应于比特流(BS)的比特信号或从比特流(BS)的比特信号导出。
一种可调谐VCSEL激光器芯片及其制造方法.pdf
本发明一种可调谐VCSEL激光器芯片及其制造方法,包括:一单晶衬底;单晶衬底正面单元,生长在所述单晶衬底正面,发射激光,包括:外延层、N‑欧姆接触层、P‑欧姆接触层、光学钝化层;单晶衬底背面单元,二次外延生长在所述单晶衬底背面,调谐所述激光波长,反馈芯片温度,依次包括倾斜外延生长的绝缘层、原子层热电堆层,所述绝缘层具有绝缘层外延倾角,所述原子层热电堆层具有原子层热电堆层外延倾角,所述原子层热电堆层外延倾角与所述绝缘层外延倾角具有第一倾角差;两电极,沿所述原子层热电堆层倾斜方向分布在所述原子层热电堆层两侧。
VCSEL芯片制造方法及VCSEL阵列.pdf
本发明公开了一种VCSEL芯片制造方法,属于半导体激光器制造技术领域。本发明VCSEL芯片制造方法包括:在外延片上形成多个具有氧化限制型结构的主动区平台的步骤,所述制造方法还包括:在所形成的多个主动区平台之间的沟槽底部沉积具有拉应力的应力补偿层的步骤。本发明还公开了一种VCSEL阵列。针对VCSEL芯片制造过程中由于叠层DBR压应力所导致的翘曲问题,本发明对现有制造工艺进行改进,在氧化限制型的主动区平台制作完成后,在主动区平台之间的沟槽底部沉积具有拉应力的应力补偿层,以对叠层DBR所产生的压应力进行抵消,
用于可调谐光子延迟的装置和方法.pdf
一种用于可调谐光延迟线的系统和方法。所述可调谐光延迟线包括:提供粗略延迟量的粗略延迟部分,所述粗略延迟部分包括相结合的粗略延迟选择元件与粗略延迟元件(102),所述粗略延迟选择元件片上合入到光子集成电路(integratedcircuit,IC)组件(203)中,所述粗略延迟元件(102)设置在所述光子IC组件(203)片外并与所述粗略延迟选择元件互连;提供精细延迟量的精细延迟元件(101),所述精细延迟元件(101)与所述粗略延迟选择元件串联互连;所述光延迟线可通过聚集所述粗略延迟量和所述精细延迟量调
用于产生高度可调谐的压缩光的方法和装置.pdf
本申请涉及用于产生高度可调谐的压缩光的方法和装置。一种用于产生压缩光的装置包括基板和集成到基板上的第一分束器。该装置还包括集成到基板上的Mach‑Zehnder干涉仪。Mach‑Zehnder干涉仪具有耦合到第一分束器的第一输出端的第一输入端和耦合到第一分束器的第二输出端的第一输出端。该装置还包括集成到基板上并将Mach‑Zehnder干涉仪的第二输入端连接到Mach‑Zehnder干涉仪的第二输出端的波导。波导和Mach‑Zehnder干涉仪形成环形谐振器。环形谐振器也可以由包括例如螺旋波导的波导部分代