提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114995750A(43)申请公布日2022.09.02(21)申请号202210573797.9(22)申请日2022.05.25(71)申请人北京得瑞领新科技有限公司地址100192北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园·北领地B-6号楼A座9层A905室(72)发明人刘刚刘晓健王嵩(74)专利代理机构北京慧智兴达知识产权代理有限公司11615专利代理师李丽颖(51)Int.Cl.G06F3/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备(57)摘要本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备，该方法包括：对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作；在对擦除后的目标存储单元进行数据写入时，若当前待写入的存储态为最低态，则采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程，所述优化编写验证电压低于擦除操作对应的擦除验证电压。本发明在对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作之后，通过将写入数据为最低态的存储单元采用预设的优化编程验证电压进行编程，使得数据写入后E态没有极低的阈值电压，从而避免了极低阈值电压存储单元与临近层高存储态的搭配影响数据保持时间的问题，提高数据的Retention特性。CN114995750ACN114995750A权利要求书1/1页1.一种提高闪存数据可靠性的方法，其特征在于，所述方法包括：对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作；在对擦除后的目标存储单元进行数据写入时，若当前待写入的存储态为最低态，则采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程，所述优化编写验证电压低于擦除操作对应的擦除验证电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程之前，所述方法还包括：获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态；当与目标存储单元相邻的存储单元的存储态高于预设的存储态阈值时，采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：预先配置存储态列表，所述存储态列表用于记录最新完成数据写入的存储单元的存储态。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态，包括：查找所述存储态列表以获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在完成目标存储单元的数据写入后更新存储态列表，以将目标存储单元的存储态记录到存储态列表。6.一种提高闪存数据可靠性的装置，其特征在于，所述装置包括：擦除模块，用于对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作；编程模块，用于在对擦除后的目标存储单元进行数据写入时，若当前待写入的存储态为最低态，则采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程，所述优化编写验证电压低于擦除操作对应的擦除验证电压。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述编程模块，还用于在采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程之前，获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态，当与目标存储单元相邻的存储单元的存储态高于预设的存储态阈值时，执行采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程的操作。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：配置模块，用于预先配置存储态列表，所述存储态列表用于记录最新完成数据写入的存储单元的存储态；进一步地，所述编程模块，用于查找所述存储态列表以获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态。9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1‑5任一项所述方法的步骤。10.一种存储设备，其特征在于，包括存储控制器，所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1‑5任一项所述方法的步骤。2CN114995750A说明书1/7页提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备技术领域[0001]本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备。背景技术[0002]NAND闪存作为现如今主流的存储媒介，具有读写速度快，存储容量高以及功耗体积小等优点。目前3D‑NAND主要的两种器件结构类型分别为浮栅结构(FloatingGate)和电荷阱结构(ChargeTrap)。存储器件由导电沟道，隧穿层，存储层，阻挡层和栅极字线组成。导电沟道是导通电子或空穴的流通路径，其上下分别连通存储器件漏端(Drai