SL11R单片机外部存储器扩展.docx

SL11R单片机外部存储器扩展SL11R单片机外部存储器扩展摘要：介绍了USB接口单片机SL11R进行外部存储器扩展的方法和实例，并测试了外部SRAM及EDODRAM的工作速度。   关键词：单片机SL11R存储器USBSL11R是Scanlogic公司生产的一种带有USB接口的16位RISC单片机，内核处理速度达到48MIPS，有丰富的硬件资源及32位可编程I/O口，可以灵活扩展外围芯片。本文主要讨论其外部存储器的扩展。(范文先生网www.fwsir.com收集整理)1SL11R存储器空间SL11R内部有3K字节的SRAM，可以用作指令存储器和数据存储器，但有些应用场合需要扩展存储器。SL11R可扩展I2C串行E2PROM、通用并行EPROM及RAM，还能够直接扩展大容量的EDODRAM。SL11R采用统一地址编码方式对外寻址，程序代码、数据区、I/O地址均安排在64K字节空间中，各自有独立的寻址空间并有相应的选通信号输出。硬件设计时不需另加解码电路，只要把扩展芯片的片选引脚与对应的控制信号相连就可以。SL11R对EDODRAM的寻址采用页寻址方式，可寻址高达2M字节的空间，以满足图像采集等需要大量数据存储器的场合。SL11R存储器空间具体安排见表1。表1SL11R存储器空间功能区地址空间内部RAM外部RAM外部DRAM外部DRAM内部寄存器外部ROM内部ROM0x0000～0x0BFF0x0C00～0x7FFF0x8000～0x9FFF0xA000～0xBFFF0xC000～0xC0FF0xC100～0xE7FF0xE800～0xFFFF外部RAM的0x0000～0x0BFF地址空间被内部RAM占用，故不能使用。外部ROM的默认地址空间为0xC100～0xE7FF，通过软件设定，也可以占用0x8000～0xBFFF地址空间。2SL11R存储器扩展SL11R的外部存储器包括串行E2PROM存储器、外部SRAM数据存储器、外部EPROM程序存储器及动态存储器。2.1串行I2CE2PROM的扩展串行E2PROM的扩展比较简单，只要根据I2CE2PROM的容量选择相应的电路即可。图1为扩展2K字节E2PROM电路图，图2为扩展16K字节E2PROM电路图。值得注意的是，如果用串行E2PROM作程序存储器，最好选用图1所示的接线。由于SL11R内部RAM只有3K字节，启动时BIOS首先从2K字节的串行E2PROM中加载指令代码。读写I2CE2PROM可以直接调用BIOS中断实现，不需要另编程序，比较方便。   2.2外部数据存储器及EPROM的扩展SL11R的数据总线是16位，提供了两种存储器扩展模式供用户选择，可以通过软件设定外部存储器工作在8位模式或16位模式。图3是SL11R扩展32K×16位SRAM的实例。图3所示状态下外部SRAM工作在16位模式；当开关SW接地，则SRAM工作在8位模式，IC2不使用。SL11R的引脚XRAMSEL和XROMSEL可以分别作为外部数据存储器和程序存储器片选信号CS。2.3动态存储器的扩展SL11R扩展动态存储器非常简单。因为它已经内置了动态存储器控制电路，与EDODRAM直接连接就可以，不需要另加电路，而且自动刷新，用户使用动态存储器负使用SRAM一样方便。SL11R扩展DRAM的电路见图4。   扩展DRAM时要选择3.3V的EDODRAM，尽量使用1M×16位的内存芯片如GM71V18163CJ、IS41LV16100、HY51V18164等，这样电路设计较简单。笔者在使用过程中发现，某些DRAM与SL11R存在兼容性问题，有时工作不稳定，但换另一批次的芯片后又正常工作，所以设计者在使用时应注意筛选。SL11R对DRAM的寻址空间为0x8000～0x9FFF和0xA000～0xBFFFF。这个地址值控制寻址的低位地址（A0～A12），另外有2个对应的页面寄存器控制寻址的高位地址，每个页面都能完成对1M×16位空间的寻址。这两个16位的页面寄存器是0xC018和0xC01A，以页面1寄存器0xC018具体说明如下：D15～D9D8D7D6D5D4D3D2D1D00A21A20A19A18A17A16A15A14A13如果A21=1，则对0x8000～0x9FFF空间的读写操作是针对DRAM，由DRAMOE和DRAMWT引脚选通DRAM，参见图4。如果A21=0，则对0x8000～0x9FFF空间的读写操作是针其它外设，由nXMEMSEL引脚选通。这种方式使SL11R另外增加了1M×16位的寻址空间，但这个空间DMA方式不能直接寻址。A13～A20则是页面1的高位地址，加上08000～0x9FFF的低