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半导体器件物理施敏课后答案 【篇一:半导体物理物理教案(03级)】 >学院、部:材料与能源学院 系、所;微电子工程系 授课教师:魏爱香,张海燕 课程名称;半导体物理 课程学时:64 实验学时:8 教材名称:半导体物理学 2005年9-12月 授课类型:理论课授课时间:2节 授课题目(教学章节或主题): 第一章半导体的电子状态 1.1半导体中的晶格结构和结合性质 1.2半导体中的电子状态和能带 本授课单元教学目标或要求: 了解半导体材料的三种典型的晶格结构和结合性质;理解半导体中 的电子态,定性分析说明能带形成的物理原因,掌握导体、半导体、 绝缘体的能带结构的特点 本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生 解决重点难点的方法、例题等): 1.半导体的晶格结构:金刚石型结构;闪锌矿型结构;纤锌矿型 结构 2.原子的能级和晶体的能带 3.半导体中电子的状态和能带(重点,难点) 4.导体、半导体和绝缘体的能带(重点) 研究晶体中电子状态的理论称为能带论,在前一学期的《固体物理》 课程中已经比较完整地介绍了,本节把重要的内容和思想做简要的 回顾。 本授课单元教学手段与方法: 采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授 本授课单元思考题、讨论题、作业: 作业题:44页1题 本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出) 1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005? 2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》?电子工 业 出版社2005 3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出 版社,2002 4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社 5.曾谨言,《量子力学》科学出版社 注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3. “重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指: 理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。 授课类型:理论课授课时间:2节 授课题目(教学章节或主题): 第一章半导体的电子状态 1.3半导体中的电子运动——有效质量 1.4本征半导体的导电机构——空穴 本授课单元教学目标或要求: 理解有效质量和空穴的物理意义,已知e(k)表达式,能求电子和 空穴的有效质量,速度和加速度 本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生 解决重点难点的方法、例题等): 1.半导体中e(k)与k的关系(重点,难点) 2.半导体中电子的平均速度 3.半导体中电子的加速度 4.有效质量的物理意义(重点,难点) 【篇二:《半导体器件物理》理论课程教学大纲】 =txt>课程编码:01222316课程模块:专业方向课修读方式:限选 开课学期:5课程学分:2.5课程总学时:51理论学时:36实践学 时:15 一、课程性质、内容与目标 本课程是高等学校本科集成电路设计与集成系统、微电子技术专业 必修的一门专业主干课,是研究集成电路设计和微电子技术的基础 课程。本课程是本专业微电子技术方向限选课。 本课程的任务是:通过本课程的学习,掌握半导体物理基础、半导 体器件基本原理和基本设计技能,为学习后续的集成电路原理、 cmos模拟集成电路设计等课程以及为从事与本专业有关的集成电路 设计、制造等工作打下一定的基础。 二、教学内容及基本要求、学时分配 第一章、半导体器件简介1.掌握半导体的四种基础结构;2.了解主 要的半导体器件; 3.了解微电子学历史、现状和发展趋势。第二章、热平衡时的能带 和载流子浓度 1.了解主要半导体材料,掌握硅、锗、砷化镓晶体结构;2.了解基 本晶体生长技术; 3.掌握半导体、绝缘体、金属的能带理论; 4.掌握本征载流子、施主、受主的概念。第三章、载流子输运现象 1.了解半导体中两个散射机制;掌握迁移率与浓度、温度的关系;2. 了解霍耳效应; 3.掌握电流密度方程式、爱因斯坦关系式; 4.掌握非平衡状态概念;了解直接复合、间接复合过程;5.掌握连 续性方程式; 6.了解热电子发射过程、隧穿过程和强电场效应。第四章、p-n结 1.了解基本工艺步骤:了解氧化、图形曝光、扩散和离子注入和金 属化等概念; 2.掌握热平衡态、空间电荷区的概念;掌握突变结和线性缓变结的 耗尽区的电场和电势分布、势垒电容计算; 3.了解理想p-n结的电流-电压方程的推导过程;4.掌握电荷储存与 暂态响应、扩散电容的概念;5.掌握p-n结的三种击穿机制。6.了 解异质结的能带图。 第五章、双极型晶体管及相关器件 1.晶体管的工作原理:掌握四种工作模式、电流增益、发射效率、 基区输运系数; 2.双极型晶体管的静态特性:掌握各区域的载流子分布;了解放大 模式下的理想晶体管的电流-电压方程;掌