大尺寸集成电路和硅片表面加工技术.pdf
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大尺寸硅片边缘抛光技术.docx
大尺寸硅片边缘抛光技术一、引言随着半导体工艺的发展,集成电路的制造进入了亚微米时代,芯片的面积和尺寸越来越大。尺寸的增加使得硅片制备的难度和复杂度大大增加。在制备过程中,硅片的边缘削减和抛光工艺是非常关键和复杂的环节。本论文将重点介绍大尺寸硅片边缘抛光技术,包括硅片边缘的特点、大尺寸硅片边缘抛光的原理和方法、工艺参数优化以及实验结果分析等内容。二、硅片边缘的特点硅片边缘特点主要表现为以下几个方面:1.边缘垂直度差异比较大边缘垂直度是硅片制备中非常重要的指标之一,直接影响到芯片最终的性能。硅片边缘的垂直度差
大尺寸硅片真空夹持系统的研究.pdf
大连理工大学硕士学位论文大尺寸硅片真空夹持系统的研究姓名:杨利军申请学位级别:硕士专业:机械设计及理论指导教师:郭东明;康仁科20050301随着Ic制造技术的飞速发展,其主要衬底材料一单晶硅片的直径不断片尺寸增大后,其强度变差,容易产生翘曲变形,加工精度不易保证。因而很有必要开展大尺寸硅片的超精密加工装备和关键技术的研究,硅片的定位定位精度对硅片加工面型精度和表面质量以及加工效率有重要影响。因此,研究和设计硅片夹持系统,对我国开发和研究具有自主知识产权的高精度、本文研究了硅片自旋转磨削中的真空夹持技术。
硅片加工的技术.pptx
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一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法.pdf
一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法,它包括以下几个步骤:(1)、将经切片、倒角后的硅片置于垂直状态,使用砂粒粒径大于或等于5微米,小于或等于10微米的砂轮,对硅片的两面同时进行加工;(2)、将硅片置于水平状态,固定硅片一面,使用砂粒粒径小于或等于1微米的砂轮,对硅片另一表面进行修整磨削加工,加工完成后翻转硅片,继续对硅片未被加工的一面进行磨削加工,修整硅片表面形貌。本发明的优点是排除了使用化学腐蚀方法,一方面降低硅片加工的成本,另一方面克服化学腐蚀方法带入的安全和环境问题。