2022年国产功率半导体行业市场现状及未来前景分析.docx

2022年国产功率半导体行业市场现状及未来前景分析1、国际巨头主导功率半导体市场功率器件市场国际大厂市场份额领先，英飞凌、安森美、意法半导体等长期位居前列。功率半导体发源于欧美市场，国际厂商占据先发优势，依托规模效应和行业整合，产品种类及销售规模持续扩张。英飞凌、安森美、意法半导体常年位列行业前三甲。细分来看，MOSFET市场前三名英飞凌、安森美、意法半导体，Omdia数据显示2019年市场份额分别为25%、13%、10%；IGBT分立器件市场，前三大厂商英飞凌、富士电机、安森美市场份额分别为33%、12%、8%；IGBT模块方面，前三大厂商英飞凌、三菱电机、富士电机市场份额分别为36%、12%、11%。欧洲、日本、美国为全球分立器件前三大供给地，合计占90%。根据半导体行业协会(SIA)的数据，2020年，欧洲半导体分立器件厂商市场销售额占比最大，达到42%；日本位于第二，占比25%；美国位列第三，占比23%；中国和韩国的半导体分立器件厂商市场销售额占比均为5%。图：2019全球MOSFET分立器件排名化合物半导体市场也由国际功率器件大厂主导。在SiC产业链中，龙头企业的经营模式以IDM模式为主，SiC器件的主要市场份额被德国Infineon、美国Cree、日本罗姆以及意法半导体等大厂占据。国内IDM厂商泰科天润、瑞能半导体以及华润微还有较大差距。GaN功率器件的主要市场份额被德国Infineon、意法半导体、安森美、住友电工、三菱电要等大厂占据。2、国内功率器件代工及应用市场崛起据华经产业数据，2020年功率半导体下游应用分别为汽车电子35%、工业27%、消费电子13%，其他市场占比25%。国内消费电子、通信等市场规模居于全球前列，新能源汽车增速全球领先。中国成为功率半导体最大需求市场，占比36%。根据Statista数据，中国分立半导体在全球市场份额从2016年33.5%提升至2020年36%，市场份额逐渐提升。图：2017年各类器件国产化率情况主要功率半导体国产化率均不及50%。根据Yole数据，2017年各类功率器件国产化率均不及50%。其中，IGBT模组、MOSFET、晶闸管、整流器的国产化率不及40%。而高端MOSFET、IGBT等功率器件主要依赖进口。晶圆厂与设计厂齐头并进，国内功率半导体技术日新月异。得益于国内Fab厂的技术沉淀与发展，结合国内功率半导体设计公司的技术进步，目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当。以IGBT市场晶圆代工资源为例。目前，IGBT产品最具竞争力的生产线是8英寸和12英寸，最为领先的厂商是英飞凌，国内晶圆生产企业此前绝大部分还停留在6英寸产品的阶段。目前国内实现8英寸产品量产的有比亚迪、株洲中车时代、上海先进、华虹宏力、士兰微等。12英寸方面，士兰微的第一条12英寸芯片生产线已于2020年12月实现正式投产；华虹半导体2020年将8英寸IGBT技术导入12英寸生产线，成为全球首家同时在8英寸和12英寸生产线量产先进型沟槽栅电场截止型（FS,FieldStop）IGBT的纯晶圆代工企业。由于MOSFET、IGBT相对其他半导体功率器件更具有差异化特征，成熟的产业链协作对功率半导体Fabless企业至关重要。新洁能是国内8寸工艺平台投片量最大的功率半导体器件设计企业之一，公司与产业链重要供应商签订框架合作协议，保持长期稳定合作关系。其中，芯片代工供应商包括华虹宏力、华润上华、中芯集成、韩国美格纳以及韩国三星等；芯片封装测试供应商包括长电科技、安靠技术、通富微电、上海捷敏等。3、新洁能定增加速进军IGBT、GaN/SiC市场截至2020年末，新洁能拥有127项专利，其中发明专利36项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；2021年9月30日，公司拥有135项专利，其中发明专利36项，并已获得一项集成电路版图布局保护授权。公司拥有的该等专利与MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。新洁能作为国内MOSFET、IGBT技术领先企业，部分产品工艺技术国内领先。基于国际先进的超低能耗电荷平衡理论技术，公司研发的主要产品紧跟国际一线品牌，且拥有全部自主知识产权。2020年，公司已形成了包括屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、IGBT工艺技术等共计11项核心技术。其中，SuperJunctionMOSFET、SGTMOSFET、弱穿通IGBT等工艺技术国内领先。新洁能自2015年起逐步开展对SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件的研发工作，不断研究相关设计难点、可靠性瓶颈、工艺技术等，并形成了一定的技术突破。目前已开发了“高耐压低损耗碳化硅二极管技术”、“碳化硅功率器件高可